Energía de semiconductores, Líder de la industria en circuitos integrados de potencia de nitruro de galio, anuncia la adquisición de GeneSiC Semiconductor, Pionero del carburo de silicio
El Segundo, CALIFORNIA., 15 de agosto, 2022 - Energía de semiconductores (Nasdaq: NVTS), el líder de la industria en nitruro de galio (GaN) circuitos integrados de potencia, anunció hoy la adquisición de GeneSiC Semiconductor, un carburo de silicio (Sic) pionero…
Los MOSFET G3R ™ de 750 V SiC ofrecen un rendimiento y una fiabilidad incomparables
DULLES, Virginia, junio 04, 2021 — Los MOSFET de SiC 750V G3R ™ de última generación de GeneSiC ofrecerán niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen bajas caídas en el estado…
5Diodos Schottky MPS ™ de generación de 650 V SiC para la mejor eficiencia en su clase
DULLES, Virginia, Mayo 28, 2021 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores de potencia, anuncia la disponibilidad de la quinta generación (Serie GE ***) SiC Schottky…
Nuevos MOSFET SiC de tercera generación de GeneSiC con la mejor figura de méritos de la industria
DULLES, Virginia, Febrero 12, 2020 — MOSFET de SiC 1200V G3R ™ de última generación de GeneSiC Semiconductor con RDS(EN) niveles que van desde 20 mΩ a 350 mΩ ofrece niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad…
Los MOSFET SiC de GeneSiC de 3300V y 1700V 1000mΩ revolucionan la miniaturización de las fuentes de alimentación auxiliares
DULLES, Virginia, diciembre 4, 2020 — GeneSiC anuncia la disponibilidad de los MOSFET discretos de SiC de 3300 V y 1700 V líderes en la industria que están optimizados para lograr una miniaturización incomparable, fiabilidad y ahorro energético en industrias…