MOSFET de SiC de 6,5 kV líderes en la industria de GeneSiC – la vanguardia para una nueva ola de aplicaciones
DULLES, Virginia, Octubre 20, 2020 — GeneSiC lanza MOSFET de carburo de silicio de 6,5 kV para liderar la vanguardia en la entrega de niveles de rendimiento sin precedentes, eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio…
GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 por interruptor rectificador-transistor monolítico basado en SiC
DULLES, Virginia, diciembre 5, 2019 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2019 R&D 100 Premio al desarrollo de productos basados en SiC…
650 V con capacidad de alta corriente, 1200Diodos V y 1700V SiC Schottky MPS ™ en paquete de mini módulo SOT-227
DULLES, Virginia, Mayo 11, 2019 — GeneSiC se convierte en líder del mercado en capacidad de alta corriente (100 un y 200 UN) Diodos Schottky SiC en el minimódulo SOT-227 GeneSiC ha introducido GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lanza el MPS Schottky SiC 1700V de mejor rendimiento de la industria™ diodos
DULLES, Virginia, enero 7, 2019 — GeneSiC lanza una cartera completa de diodos SiC Schottky MPS ™ de tercera generación de 1700V en paquete TO-247-2 GeneSiC ha presentado GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 y…
Los módulos híbridos SiC Schottky Rectifier / Si IGBT de GeneSiC permiten un funcionamiento a 175 ° C
DULLES, Virginia, marzo 5, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de sus…