Anwendungshinweise:
AN-1 1200 V Schottky-Dioden mit temperaturinvarianten Barrierehöhen und Idealitätsfaktoren
Okt. 2010 AN-1 1200 V Schottky-Dioden mit temperaturinvarianten Barrierehöhen und Idealitätsfaktoren
AN-2 1200 V SiC JBS-Dioden mit extrem niedriger kapazitiver Sperrverzögerungsladung für schnelle Schaltanwendungen
Okt. 2010 AN-2 1200 V SiC JBS-Dioden mit extrem niedriger kapazitiver Sperrverzögerungsladung für schnelle Schaltanwendungen
AN1001 SiC-Leistungsdioden-Zuverlässigkeit
September, 2018AN1001 SiC-Leistungsdioden-Zuverlässigkeit
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September, 2018AN1002 Das Datenblatt einer SiC-Leistungs-Schottky-Diode verstehen
AN1003 SPICE-Modell Gebrauchsanweisung
Dezember, 2018AN1003 SPICE-Modell Gebrauchsanweisung
Technische Artikel:
Hochleistungs-SiC-PiN-Gleichrichter
Dezember, 2005 Hochleistungs-SiC-PiN-Gleichrichter
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Schnelle Neutronendetektion mit halbisolierenden Siliziumkarbiddetektoren
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Entwicklung von Strahlungsdetektoren auf Basis von halbisolierendem Siliziumkarbid
Okt., 2008 Entwicklung von Strahlungsdetektoren auf Basis von halbisolierendem Siliziumkarbid
Korrelation zwischen Ladungsträgerrekombinationslebensdauer und Durchlassspannungsabfall in 4H-SiC-PiN-Dioden
Sept, 2010 Korrelation zwischen Ladungsträgerrekombinationslebensdauer und Durchlassspannungsabfall in 4H-SiC-PiN-Dioden
