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Technische Artikel:
SiC-„Super“-Junction-Transistoren mit ultraschnellem (< 15 ns) Schaltfähigkeit
Kann, 2012 SiC-„Super“-Junction-Transistoren mit ultraschnellem (< 15 ns) Schaltfähigkeit
Charakterisierung der Stabilität der Stromverstärkung und des Avalanche-Mode-Betriebs von 4H-SiC-BJTs
Okt., 2012 Charakterisierung der Stabilität der Stromverstärkung und des Avalanche-Mode-Betriebs von 4H-SiC-BJTs
10 kV SiC BJTs - statisch, Schalt- und Zuverlässigkeitseigenschaften
Kann, 2013 10 kV SiC BJTs - statisch, Schalt- und Zuverlässigkeitseigenschaften
Schnell reifende SiC-Übergangstransistoren mit Stromverstärkung (B) > 130, Sperrspannungen bis 2700 V und stabiler Langzeitbetrieb
Okt., 2013 Schnell reifende SiC-Übergangstransistoren mit Stromverstärkung (B) > 130, Sperrspannungen bis 2700 V und stabiler Langzeitbetrieb
Siliziumkarbid-Übergangstransistoren und Schottky-Gleichrichter, optimiert für den Betrieb bei 250°C
Apr, 2014 Siliziumkarbid-Übergangstransistoren und Schottky-Gleichrichter, optimiert für den Betrieb bei 250°C