How2Power
Nov. 14, 2014 – 1200-V- und 1700-V-SiC-Sperrschichttransistoren sind so positioniert, dass sie SiC-MOSFETs und Silizium-IGBTs herausfordern
Elektronischer Spezifizierer
Nov. 25, 2014 – Electronicspecifier Design-Unterstützung für die verlustärmsten Schalter der Branche
IEEE PELS-Magazin
Beschädigen 1, 2015 – IEEE PELS Magazine Fulfilling the Promise of High Temperature Operation with Silicon Carbide Devices
Compound Semi Online
Kann 14, 2015 – GeneSiC beginnt mit dem Angebot von SiC-Junction-Transistor-Dioden
TTI Marktauge
Apr 22, 2015 – Präsentationen von GaN- und SiC-Leistungsgeräten auf der APEC
