Entwicklung von Strahlungsdetektoren auf Basis von halbisolierendem Siliziumkarbid
Okt., 2008 Entwicklung von Strahlungsdetektoren auf Basis von halbisolierendem Siliziumkarbid
Korrelation zwischen Ladungsträgerrekombinationslebensdauer und Durchlassspannungsabfall in 4H-SiC-PiN-Dioden
Sept, 2010 Korrelation zwischen Ladungsträgerrekombinationslebensdauer und Durchlassspannungsabfall in 4H-SiC-PiN-Dioden
Hybrid-Si-IGBT/SiC-Gleichrichter-Copacks und SiC-JBS-Gleichrichter
Sept, 2011 Hybrid-Si-IGBT/SiC-Gleichrichter-Copacks und SiC-JBS-Gleichrichter
12.9 kV-SiC-PiN-Dioden mit geringen Durchlassverlusten und hoher Trägerlebensdauer
Sept, 2011 12.9 kV-SiC-PiN-Dioden mit geringen Durchlassverlusten und hoher Trägerlebensdauer
1200 V SiC Schottky-Gleichrichter optimiert für ≥ 250 °C-Betrieb mit niedrigster Sperrschichtkapazität
Juli, 2012 1200 V SiC Schottky-Gleichrichter optimiert für ≥ 250 °C-Betrieb mit niedrigster Sperrschichtkapazität