Siliziumkarbid-Übergangstransistoren und Schottky-Gleichrichter, optimiert für den Betrieb bei 250°C
Apr, 2014 Siliziumkarbid-Übergangstransistoren und Schottky-Gleichrichter, optimiert für den Betrieb bei 250°C
Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern
Jun, 2014 Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern
AN-10A zum Ansteuern von SiC-Übergangstransistoren (SJT) mit handelsüblichen Silizium-IGBT-Gate-Treibern: Einstufiges Laufwerkskonzept
Kann 2013 AN-10A zum Ansteuern von SiC-Übergangstransistoren (SJT) mit handelsüblichen Silizium-IGBT-Gate-Treibern: Einstufiges Antriebskonzept
Ansteuernde SiC-Sperrschichttransistoren AN-10B (SJT): Zwei-Ebenen-Gate-Drive-Konzept
Juni 2013 Ansteuernde SiC-Sperrschichttransistoren AN-10B (SJT): Zwei-Ebenen-Gate-Drive-Konzept
Doppelpulsschalttafel
Sep 2014 Doppelpulsschalttafel