AN-10A zum Ansteuern von SiC-Übergangstransistoren (SJT) mit handelsüblichen Silizium-IGBT-Gate-Treibern: Einstufiges Antriebskonzept
Ansteuernde SiC-Sperrschichttransistoren AN-10B (SJT): Zwei-Ebenen-Gate-Drive-Konzept
Doppelpulsschalttafel
Doppelpulsschalttafel
High Power Gate Treiberplatine
High Power Gate Treiberplatine
Low-Power-Gate-Treiberplatine
Low-Power-Gate-Treiberplatine
1200 V-Klasse 4H-SiC “Super” Sperrschichttransistoren mit Stromverstärkungen von 88 und ultraschnelle Schaltfähigkeit
200 V SiC-„Super“-Übergangstransistoren, die bei betrieben werden 250 °C mit extrem geringen Energieverlusten für Leistungsumwandlungsanwendungen
Das Hochtemperatur-Versprechen von SiC . nutzen
Das Hochtemperatur-Versprechen von SiC . nutzen