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Veröffentlicht am 2019-06-102019-06-10Das Hochtemperatur-Versprechen von SiC . nutzen Februar, 2012 Das Hochtemperatur-Versprechen von SiC . nutzen
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Veröffentlicht am 2019-06-102019-06-10Stabilität der elektrischen Eigenschaften von SiC-Super-Junction-Transistoren bei Langzeit-Gleichstrom- und Impulsbetrieb bei verschiedenen Temperaturen Kann, 2012 Stabilität der elektrischen Eigenschaften von SiC-Super-Junction-Transistoren bei Langzeit-Gleichstrom- und Impulsbetrieb bei verschiedenen Temperaturen
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Veröffentlicht am 2019-06-102019-06-10Siliziumkarbid-Übergangstransistoren und Schottky-Gleichrichter, optimiert für den Betrieb bei 250°C Apr, 2014 Siliziumkarbid-Übergangstransistoren und Schottky-Gleichrichter, optimiert für den Betrieb bei 250°C
Veröffentlicht am 2019-06-102019-06-10Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern Jun, 2014 Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern