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Suchergebnisse für „MSRT200160:
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Gate-Treiberplatine und SPICE-Modelle für Siliziumkarbid-Übergangstransistoren (SJT) Freigegeben
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Hybrid-SiC-Schottky-Gleichrichter/Si-IGBT-Module von GeneSiC ermöglichen Betrieb bei 175°C
GeneSiC stellt Siliziumkarbid-Übergangstransistoren vor
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