دول, فيرجينيا, شهر اغسطس 30, 2011 - فيزياء جديدة تجعل الثايرستور يصل إلى مستوى أعلى
توفر شبكة الطاقة الكهربائية طاقة موثوقة بمساعدة الأجهزة الإلكترونية التي تضمن السلاسة, تدفق موثوق للطاقة. الى الآن, تم الاعتماد على التجميعات القائمة على السيليكون, لكنهم لم يتمكنوا من التعامل مع متطلبات الشبكة الذكية. مواد ذات فجوة واسعة النطاق مثل كربيد السيليكون (SiC) تقدم بديلاً أفضل لأنها قادرة على سرعات تحويل أعلى, جهد انهيار أعلى, خسائر تحويل أقل, ودرجة حرارة تقاطع أعلى من المفاتيح التقليدية القائمة على السيليكون. أول جهاز قائم على SiC يصل إلى السوق هو الثايرستور كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC الثايرستور), تم تطويره بواسطة GeneSiC Semiconductor Inc., دالاس, فرجينيا., بدعم من مختبرات سانديا الوطنية, البوكيرك, ن., الولايات المتحدة. دائرة الطاقة / توصيل الكهرباء, والولايات المتحدة. بحوث الجيش / التسلح, مركز التطوير والهندسة, بيكاتيني ارسنال, نيوجيرسي.
اعتمد المطورون فيزياء تشغيلية مختلفة لهذا الجهاز, التي تعمل على النقل الناقل للأقلية ومقوم طرفية ثالث متكامل, وهو واحد أكثر من أجهزة SiC التجارية الأخرى. اعتمد المطورون تقنية تصنيع جديدة تدعم التصنيفات أعلاه 6,500 الخامس, وكذلك تصميم بوابة أنود جديد للأجهزة عالية التيار. قادرة على الأداء في درجات حرارة تصل إلى 300 C والحالية عند 80 أ, يقدم SiC Thyristor ما يصل إلى 10 مرات أعلى الجهد, أربعة أضعاف الفولتية الحجب, و 100 مرات تبديل تردد أسرع من الثايرستور القائم على السيليكون.
