نشر على

فيزياء جديدة تجعل الثايرستور يصل إلى مستوى أعلى

دول, فيرجينيا, شهر اغسطس 30, 2011 - فيزياء جديدة تجعل الثايرستور يصل إلى مستوى أعلى

توفر شبكة الطاقة الكهربائية طاقة موثوقة بمساعدة الأجهزة الإلكترونية التي تضمن السلاسة, تدفق موثوق للطاقة. الى الآن, تم الاعتماد على التجميعات القائمة على السيليكون, لكنهم لم يتمكنوا من التعامل مع متطلبات الشبكة الذكية. مواد ذات فجوة واسعة النطاق مثل كربيد السيليكون (SiC) تقدم بديلاً أفضل لأنها قادرة على سرعات تحويل أعلى, جهد انهيار أعلى, خسائر تحويل أقل, ودرجة حرارة تقاطع أعلى من المفاتيح التقليدية القائمة على السيليكون. أول جهاز قائم على SiC يصل إلى السوق هو الثايرستور كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC الثايرستور), تم تطويره بواسطة GeneSiC Semiconductor Inc., دالاس, فرجينيا., بدعم من مختبرات سانديا الوطنية, البوكيرك, ن., الولايات المتحدة. دائرة الطاقة / توصيل الكهرباء, والولايات المتحدة. بحوث الجيش / التسلح, مركز التطوير والهندسة, بيكاتيني ارسنال, نيوجيرسي.

اعتمد المطورون فيزياء تشغيلية مختلفة لهذا الجهاز, التي تعمل على النقل الناقل للأقلية ومقوم طرفية ثالث متكامل, وهو واحد أكثر من أجهزة SiC التجارية الأخرى. اعتمد المطورون تقنية تصنيع جديدة تدعم التصنيفات أعلاه 6,500 الخامس, وكذلك تصميم بوابة أنود جديد للأجهزة عالية التيار. قادرة على الأداء في درجات حرارة تصل إلى 300 C والحالية عند 80 أ, يقدم SiC Thyristor ما يصل إلى 10 مرات أعلى الجهد, أربعة أضعاف الفولتية الحجب, و 100 مرات تبديل تردد أسرع من الثايرستور القائم على السيليكون.

نشر على

GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لأجهزة SiC في تطبيقات الطاقة الشمسية وطاقة الرياح المتصلة بالشبكة

دول, فيرجينيا, تموز 14, 2011 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2011 ص&د 100 جائزة لتسويق أجهزة كربيد السيليكون ذات معدلات الجهد العالي.

شركة GeneSiC Semiconductor, تم تكريم أحد المبتكرين الرئيسيين في أجهزة الطاقة القائمة على كربيد السيليكون الأسبوع الماضي بالإعلان عن حصوله على جائزة المرموقة 2011 ص&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2010. ص&مجلة D اعترفت بـ GeneSiC's Ultra-High Voltage SiC Thyristor لقدرته على تحقيق الفولتية والترددات التي لم يتم استخدامها من قبل في عروض إلكترونيات الطاقة. معدلات الجهد >6.5كيلو فولت, على التصنيف الحالي للدولة 80 أ وترددات التشغيل >5 kHz أعلى بكثير من تلك التي تم تقديمها سابقًا في السوق. تمكن هذه القدرات التي حققتها Thyristors من GeneSiC بشكل حاسم الباحثين في مجال إلكترونيات الطاقة من تطوير محولات مرتبطة بالشبكة, مرن

أنظمة نقل التيار المتردد (حقائق) وأنظمة DC ذات الجهد العالي (HVDC). سيسمح هذا بالاختراعات الجديدة وتطوير المنتجات في مجال الطاقة المتجددة, محولات الطاقة الشمسية, محولات طاقة الرياح, وصناعات تخزين الطاقة. الدكتور. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC لأشباه الموصلات "من المتوقع أن تفتح الأسواق الكبيرة في المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح بعد أن يدرك الباحثون في مجال تحويل الطاقة فوائد SiC Thyristors بالكامل. يستخدم الجيل الأول من ثايرستور SiC أقل انخفاض موضّح للجهد في الحالة ومقاومات تفاضلية على الإطلاق تم تحقيقها في SiC Thyristors. نعتزم إطلاق الأجيال القادمة من SiC Thyristors المُحسَّنة من أجل إمكانية إيقاف التشغيل التي تتحكم فيها البوابة وقدرة الطاقة النبضية و >10تقييمات كيلو فولت. مع استمرارنا في تطوير حلول التعبئة والتغليف ذات الجهد العالي للغاية بدرجة الحرارة العالية, يتم تعبئة الثايرستور الحالي 6.5 كيلو فولت في وحدات مع جهات اتصال ملحومة بالكامل, يقتصر على درجات حرارة تقاطع 150 درجة مئوية ". منذ أن تم إطلاق هذا المنتج في أكتوبر 2010, حجزت GeneSiC طلبات من العديد من العملاء من أجل عرض أجهزة إلكترونية للطاقة المتقدمة باستخدام ثايرستور كربيد السيليكون. تواصل GeneSiC تطوير عائلة منتجات الثايرستور من كربيد السيليكون. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&تم تطوير D في الإصدار الأول لتطبيقات تحويل الطاقة من خلال دعم تمويل SBIR من وزارة الخارجية الأمريكية. من الطاقة. أكثر تطورا, يتم تطوير ثايرستور SiC المحسن بالطاقة النبضية بموجب عقد SBIR آخر مع ARDEC, الجيش الأمريكي. باستخدام هذه التطورات التقنية, الاستثمار الداخلي من GeneSiC والأوامر التجارية من عملاء متعددين, كان GeneSiC قادرًا على تقديم هذه الثايرستور UHV كمنتجات تجارية.

مسابقة التكنولوجيا السنوية التاسعة والأربعون التي تديرها شركة R&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. تعترف هذه الجائزة بشركة GeneSiC كشركة عالمية رائدة في إنشاء المنتجات القائمة على التكنولوجيا والتي تحدث فرقًا في طريقة عملنا وحياتنا.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.

نشر على

متعدد كيلوهرتز, تم أخذ عينات الثايرستور المصنوعة من كربيد السيليكون ذات الجهد العالي إلى باحثين أمريكيين

دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 1, 2010 –في أول عرض من نوعه, تعلن GeneSiC Semiconductor عن توفر عائلة من ثايرستور كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت بوضع SCR لاستخدامها في إلكترونيات الطاقة لتطبيقات الشبكة الذكية. من المتوقع أن تحفز مزايا الأداء الثورية لأجهزة الطاقة هذه الابتكارات الرئيسية في أجهزة إلكترونيات الطاقة على نطاق المرافق لزيادة إمكانية الوصول إلى موارد الطاقة الموزعة واستغلالها (ال). "الى الآن, كربيد السيليكون متعدد كيلو فولت (SiC) لم تكن أجهزة الطاقة متاحة علنًا للباحثين الأمريكيين للاستفادة الكاملة من المزايا المعروفة - أي ترددات التشغيل 2-10 كيلو هرتز عند تصنيفات 5-15 كيلو فولت - لأجهزة الطاقة القائمة على SiC. " علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. أكملت GeneSiC مؤخرًا تسليم العديد من 6.5kV / 40A, 6.5الثايرستور kV / 60A و 6.5kV / 80A لعدة عملاء يجرون أبحاثًا في مجال الطاقة المتجددة, تطبيقات أنظمة القوى العسكرية والبحرية. يتم الآن تقديم أجهزة SiC بهذه التصنيفات على نطاق أوسع ".

توفر الثايرستور القائم على كربيد السيليكون جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل بدرجة حرارة أعلى مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. تشمل فرص بحث التطبيقات المستهدفة لهذه الأجهزة تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​للأغراض العامة (MVDC), محولات الطاقة الشمسية المرتبطة بالشبكة, محولات طاقة الرياح, قوة نبضية, أنظمة الأسلحة, التحكم في الاشتعال, والتحكم في الزناد. لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) كربيد السيليكون (SiC) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعوضات المتسلسلة. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية.

الدكتور. يواصل سينغ "من المتوقع أن تفتح الأسواق واسعة النطاق في المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح بعد أن يدرك الباحثون في مجال تحويل الطاقة بشكل كامل فوائد SiC Thyristors. يستخدم الجيل الأول من ثايرستور SiC أقل انخفاض موضّح للجهد في الحالة ومقاومات تفاضلية على الإطلاق تم تحقيقها في SiC Thyristors. نعتزم إطلاق الأجيال القادمة من SiC Thyristors المُحسَّنة لقدرة إيقاف التشغيل التي تتحكم فيها البوابة و >10تقييمات كيلو فولت. مع استمرارنا في تطوير حلول التعبئة والتغليف ذات الجهد العالي للغاية بدرجة الحرارة العالية, يتم تعبئة الثايرستور الحالي 6.5 كيلو فولت في وحدات مع جهات اتصال ملحومة بالكامل, يقتصر على درجات حرارة تقاطع 150 درجة مئوية ". GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

تقع بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.