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GeneSiC行業領先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先鋒

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC發布6.5kV碳化矽MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面處於領先地位, 牽引等中壓功率轉換應用的效率和可靠性, 脈衝電源和智能電網基礎設施.

GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今日宣布立即供貨6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用該技術的全碳化矽模塊即將發布. 預計應用將包括牽引力, 脈衝功率, 智能電網基礎設施和其他中壓功率轉換器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (與集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的創新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET單元電池中. 這種領先的功率器件可用於下一代功率轉換系統中的各種功率轉換電路中. 其他重要優勢包括更高效的雙向性能, 溫度獨立開關, 低開關損耗和傳導損耗, 降低冷卻要求, 出色的長期可靠性, 易於並聯設備並節省成本. GeneSiC的技術不僅具有出色的性能，而且還具有減少功率轉換器中SiC淨材料足蹟的潛力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圓上設計和製造，以實現低導通電阻, 最好的質量, 和卓越的性價比指標. 下一代MOSFET技術可提供出色的性能, 在中壓功率轉換應用中具有出色的耐用性和長期可靠性。” 說過 博士. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC半導體技術副總裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技術特性 –

  • 高雪崩 (統計研究所) 和短路堅固性
  • 上級QG 設DS(上) 品質因數
  • 溫度無關的開關損耗
  • 低電容和低柵極電荷
  • 在所有溫度下損耗低
  • 常關穩定工作溫度高達175°C
  • +20 V / -5 V門驅動

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 或聯繫 sales@genesicsemi.com

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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GeneSiC發佈業界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二極管

杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出採用TO-247-2封裝的第三代1700V SiC肖特基MPS™二極管的全面產品組合

GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封裝中提供了業界性能最佳的1700V SiC二極管. 這些1700V SiC二極管替代了矽基超快恢復二極管和其他舊式1700V SiC JBS, 使工程師能夠構建更高效率和更高功率密度的開關電路. 預計應用將包括電動汽車快速充電器, 馬達驅動, 運輸電源和可再生能源.

GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合併式PiN肖特基二極管, 業界額定電流最高的分立SiC功率二極管. 這些新發布的二極管具有低正向壓降, 零前向恢復, 零反向恢復, 低結電容，額定最高工作溫度為175°C. GeneSiC的第三代SiC肖特基二極管技術可提供行業領先的雪崩強度和浪湧電流 (s) 健壯性, 結合高質量的汽車合格6英寸鑄造廠和先進的高可靠性分立裝配技術.

這些SiC二極管是引腳兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封裝中的其他二極管. 受益於較低的功率損耗 (冷卻器運行) 和高頻切換能力, 設計人員現在可以在設計中實現更高的轉換效率和更高的功率密度.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.