杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC發布6.5kV碳化矽MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面處於領先地位, 牽引等中壓功率轉換應用的效率和可靠性, 脈衝電源和智能電網基礎設施.
GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今日宣布立即供貨6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用該技術的全碳化矽模塊即將發布. 預計應用將包括牽引力, 脈衝功率, 智能電網基礎設施和其他中壓功率轉換器.
G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片
G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (與集成肖特基) 裸芯片
G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片
GeneSiC的創新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET單元電池中. 這種領先的功率器件可用於下一代功率轉換系統中的各種功率轉換電路中. 其他重要優勢包括更高效的雙向性能, 溫度獨立開關, 低開關損耗和傳導損耗, 降低冷卻要求, 出色的長期可靠性, 易於並聯設備並節省成本. GeneSiC的技術不僅具有出色的性能，而且還具有減少功率轉換器中SiC淨材料足蹟的潛力.
“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圓上設計和製造，以實現低導通電阻, 最好的質量, 和卓越的性價比指標. 下一代MOSFET技術可提供出色的性能, 在中壓功率轉換應用中具有出色的耐用性和長期可靠性。” 說過 博士. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC半導體技術副總裁.
GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技術特性 –
- 高雪崩 (統計研究所) 和短路堅固性
- 上級QG 設DS(上) 品質因數
- 溫度無關的開關損耗
- 低電容和低柵極電荷
- 在所有溫度下損耗低
- 常關穩定工作溫度高達175°C
- +20 V / -5 V門驅動
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關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.
