基於半絕緣碳化矽的輻射探測器的研製
十月, 2008 基於半絕緣碳化矽的輻射探測器的研製
4H-SiC PiN二極管中載流子復合壽命與正向壓降之間的相關性
九月, 2010 4H-SiC PiN二極管中載流子復合壽命與正向壓降之間的相關性
混合 Si-IGBT/SiC 整流器組合包和 SiC JBS 整流器
九月, 2011 混合 Si-IGBT/SiC 整流器組合包和 SiC JBS 整流器
12.9 具有低導通壓降和高載流子壽命的 kV SiC PiN 二極管
九月, 2011 12.9 具有低導通壓降和高載流子壽命的 kV SiC PiN 二極管
1200 V SiC 肖特基整流器針對 ≥ 優化 250 °C 運行,具有同類最低的結電容
七月, 2012 1200 V SiC 肖特基整流器針對 ≥ 優化 250 °C 運行,具有同類最低的結電容