通過兼容的行業標準封裝實現的 SiC 晶體管的高溫承諾將極大地增強井下和航空航天執行器和電源
杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十二月 10, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布通過其分銷商和直接提供高溫封裝的家庭 600 V 碳化矽結晶體管 (SJT) 在裡面 3-50 JEDEC 行業標准通孔和表面貼裝封裝中的安培電流額定值. 結合這些高溫, 低導通電阻, 密封封裝中的高頻 SiC 晶體管, 高溫焊料和封裝將提高轉換效率並減少高溫功率轉換應用的尺寸/重量/體積.
當代高溫電源, 用於石油/天然氣/井下和航空航天應用的電機控制和執行器電路缺乏可行的高溫碳化矽解決方案. 矽晶體管具有電路效率低和尺寸大的問題，因為它們具有高洩漏電流和低開關特性差的問題. 這兩個參數在更高的結溫下都會變差. 具有熱約束環境, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 密封封裝的 SiC 晶體管提供獨特的特性，有望徹底改變井下和航空航天應用的能力. GeneSiC的 650 V/3-50 A SiC 結晶體管具有接近零的開關時間，不隨溫度變化. 這 210的C 結溫額定器件為在極端環境下運行的應用提供相對較大的溫度裕度.
GeneSiC 提供的結型晶體管具有超快的開關能力, 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠由商業驅動, 普遍可用 15 V IGBT柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 同時提供與 SiC JFET 驅動器的兼容性, 由於瞬態特性匹配，SiC 結晶體管可以輕鬆並聯.
“隨著井下和航空航天應用設計師不斷挑戰工作頻率的極限, 同時仍然要求高電路效率, 他們需要能夠提供性能標準的 SiC 開關, 可靠性和生產一致性. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC 的 SJT 產品幫助設計人員在更強大的解決方案中實現所有這些. 這些產品是對 GeneSiC 去年發布的密封封裝 SiC 整流器的補充, 以及今年早些時候發布的裸片產品, 同時為我們提供高溫鋪平道路, 低電感, 不久的將來電源模塊 ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
隔離 TO-257 與 600 在 SJT 中:
- 65 毫歐/20 安培 (2N7639-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N7637-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N7635-GA)
- 噸最大 = 210的C
- 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
- 對應Bare Die GA20JT06-CAL (在 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (在 2N7637-GA); 和 GA05JT06-CAL (在 2N7635-GA)
非隔離 TO-258 原型封裝 600 SJT
- 25 毫歐/50 安培 (GA50JT06-258樣機封裝)
- 噸最大 = 210的C
- 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
- 對應Bare Die GA50JT06-CAL (在 GA50JT06-258)
表面貼裝 TO-276 (貼片0.5) 和 600 SJT
- 65 毫歐/20 安培 (2N7640-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N7638-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N7636-GA)
- 噸最大 = 210的C
- 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試並封裝在密封包裝中. 提供技術支持和SPICE電路模型. 這些設備可立即從 GeneSiC 直接和/或通過其授權經銷商獲得.
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
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