GeneSiC半導體獲選在展示技術 2011 ARPA-E能源創新峰會

杜勒斯, VA, 二月 28, 2011 – GeneSiC半導體很高興在ARPA-E能源創新峰會上宣布其入選著名技術展的選擇, 由能源部高級研究計劃局–能源部共同主辦 (ARPA-E) 和清潔技術與可持續產業組織 (ctsi). 數以百計的頂級技術專家和尖端清潔技術組織競爭參加了Showcase, 美國贏得能源未來最有前途的前景的走廊.

作為ARPA-E的選定組織之一, GeneSiC半導體將展示其碳化矽近 2,000 各國領導人齊聚一堂,推動美國在能源領域的長期競爭力, 包括頂尖研究人員, 投資人, 企業家, 企業高管和政府官員. 多於 200 ARPA-E獲得者的突破性技術, 公司, 國家實驗室和能源部R&活動中將展示D節目.

“此次峰會匯集了了解需要合作和合作以將下一代能源技術推向市場的組織。,” GeneSiC Semiconductor說, 總統, 博士. 蘭比爾·辛格. “將這麼多能源領域的重要參與者聚集在一個屋頂下,這是一個難得的激動人心的機會,我們期待在技術展示會上與其他創新者和投資者分享我們的碳化矽功率器件。”

來自的研究和業務開發團隊 14 致力於技術商業化的企業加速合作夥伴也將出席,包括陶氏化學, 博世, 應用材料和洛克希德·馬丁公司.

峰會還邀請了包括美國在內的知名演講者. 能源部長朱Steven文, ARPA-E總監Arun Majumdar, 我們. 海軍部長雷蒙德·馬布斯(Raymond Mabus), 前加利福尼亞州州長阿諾德·施瓦辛格和美國銀行董事長查爾斯·霍利迪.

第二屆ARPA-E能源創新峰會將於2月舉行 28 – 遊行 2, 2011 在華盛頓郊外的蓋洛德會議中心, 直流. 要了解更多信息或註冊,請訪問: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

關於GeneSiC半導體

GeneSiC半導體公司. 開髮用於高溫的寬帶隙半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 電源開關和雙極設備. GeneSiC使用獨特且廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力,為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過為各種大批量市場提供高質量的產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構(包括ARPA-E)的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 軍隊, 美國宇航局, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部.

關於ARPA-E

先進研究計劃局–能源 (ARPA-E) 是美國境內的新機構. 能源部–也是第一個專注於突破性能源技術的公司,該技術可以從根本上改變我們的能源使用方式. 而不是直接進行研究, ARPA-E投資高風險, 大學正在開發的高回報能源技術, 初創公司, 小企業, 和公司. 我們的員工匯集了行業領先的科學家, 工程師, 和投資主管人員,以找出有希望的解決方案來解決美國最嚴重的能源問題,並迅速將頂級技術推向市場,這對於確保美國在全球的技術領先地位以及創造新的美國產業和就業機會至關重要. 訪問 www.arpa-e.energy.gov欲獲得更多信息.

關於CTSI

清潔技術 & 可持續產業組織 (ctsi), 501c6非營利行業協會, 代表發展中的組織, 商業化, 和實施能源, 水, 和環境技術. 清潔技術為日益增長的資源安全性和可持續性問題提供了急需的解決方案,對於保持經濟競爭力至關重要. CTSI召集全球領導者進行宣傳, 社區發展, 聯網, 和信息共享,以幫助將這些必需的技術更快地推向市場. 訪問 www.ct-si.org 欲獲得更多信息.