Yayınlanan

Yenilenebilir Enerji İtme Ağları GeneSiC Semiconductor ABD Enerji Bakanlığı'ndan 1,5 Milyon Dolar

DULES, VA, Kasım 12, 2008 – ABD Enerji Bakanlığı, GeneSiC Semiconductor'a yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesi için toplam 1,5 milyon ABD Doları tutarında iki ayrı hibe verdi. (SiC) rüzgar için önemli etkinleştiriciler olarak hizmet edecek cihazlar- ve ülkenin elektrik şebekesi ile güneş enerjisi entegrasyonu.

"Bu ödüller, DOE'nin GeneSiC'nin yeteneklerine olan güvenini göstermektedir., alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığının yanı sıra,” notları Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC başkanı. "Entegre, verimli elektrik şebekesi, ülkenin enerji geleceği için kritik öneme sahip ve geliştirdiğimiz SiC cihazları, geleneksel silikon teknolojilerinin verimsizliklerinin üstesinden gelmek için kritik öneme sahip.”

İlk ödül, hızlı teknolojinin geliştirilmesi için 750 bin $'lık Faz II SBIR hibesidir., ultra yüksek voltajlı SiC bipolar cihazlar. İkincisi, optik olarak kapılı yüksek güçlü SiC anahtarlarının geliştirilmesi için 750 bin dolarlık Faz II STTR hibesidir..

Silisyum karbür, silikonun voltajının 10 katı ve akımın 100 katının üstesinden gelme kabiliyetine sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., yenilenebilir enerji gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir (rüzgar ve güneş) tesisatlar ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.

özellikle, iki ödül için:

  • Yüksek frekansın geliştirilmesi, çoklu kilovolt SiC geçit kapatma (GTO) güç cihazları. Hükümet ve ticari uygulamalar, gemiler için güç yönetimi ve iklimlendirme sistemlerini içerir, kamu hizmeti endüstrisi, ve tıbbi görüntüleme.
  • Optik kapılı yüksek voltaj tasarımı ve üretimi, yüksek güçlü SiC anahtarlama cihazları. Gücü değiştirmek için fiber optik kullanmak, elektromanyetik parazitten rahatsız olan ortamlar için ideal bir çözümdür (EMI), ve ultra yüksek voltaj gerektiren uygulamalar.

GeneSiC'nin geliştirmekte olduğu SiC cihazları, çeşitli enerji depolamalarına hizmet eder., Güç ızgarası, ve askeri uygulamalar, dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça artan ilgi görmektedir..

Washington dışında yerleşik, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., Alan Etkili Transistörler (FET'ler) ve bipolar cihazlar, ayrıca parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.

Yayınlanan

GeneSiC Semiconductor, Çok Sayıda ABD Enerji Bakanlığı SBIR ve STTR Hibesi Verdi

DULES, VA, Ekim 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., yüksek sıcaklıkta hızla yükselen bir yenilikçi, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, FY07 sırasında ABD Enerji Bakanlığı'ndan üç ayrı küçük işletme hibesi aldığını duyurdu. SBIR ve STTR hibeleri, GeneSiC tarafından çeşitli enerji depolamaya yönelik yeni yüksek voltaj SiC cihazlarını göstermek için kullanılacaktır., Güç ızgarası, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları giderek daha fazla ilgi görüyor.

“ABD Enerji Bakanlığı bünyesindeki çeşitli ofislerin yüksek güçlü cihaz çözümlerimizle ilgili ifade ettiği güven seviyesinden memnunuz.. Bu finansmanı, gelişmiş SiC teknoloji programlarımıza enjekte etmek, endüstri lideri bir SiC cihazları ile sonuçlanacaktır.,” GeneSiC Başkanı yorumladı, Dr.. Ranbir Singh. “Bu projelerde geliştirilen cihazlar, daha verimli bir elektrik şebekesini desteklemek için kritik etkinleştirme teknolojisi sağlamayı vaat ediyor., ve çağdaş silikon temelli teknolojilerin sınırlamaları nedeniyle gerçekleşmemiş olan yeni ticari ve askeri donanım teknolojisinin kapısını açacaktır.”

Üç proje şunları içerir::

  • Yüksek akıma odaklanan yeni bir Faz I SBIR ödülü, enerji depolama uygulamalarına yönelik multi-kV Tristör tabanlı cihazlar.
  • DOE Bilim Ofisi tarafından verilen yüksek güçlü RF sistem uygulamaları için yüksek voltajlı güç kaynakları için çoklu kV SiC güç cihazlarının geliştirilmesine yönelik bir Faz II SBIR devam ödülü.
  • Optik kapılı yüksek gerilime odaklanan bir Faz I STTR ödülü, elektromanyetik girişim açısından zengin ortamlar için yüksek frekanslı SiC güç cihazları, yüksek güçlü RF enerji sistemleri dahil, ve yönlendirilmiş enerji silah sistemleri.

Ödüllerle birlikte, GeneSiC, kısa süre önce operasyonlarını Dulles'daki genişletilmiş bir laboratuvara ve ofis binasına taşıdı, Virjinya, ekipmanını önemli ölçüde yükseltiyor, altyapı ve ek kilit personel ekleme sürecindedir.

“GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır., bunu kapsamlı bir üretim paketine erişimle desteklemek, karakterizasyon ve test tesisleri,” Dr. sonuçlandı. Singh. “Bu yeteneklerin ABD DOE tarafından bu yeni ve devam eden ödüllerle etkin bir şekilde onaylandığını düşünüyoruz.”

Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederek www.genesicsemi.com.