DULES, VA, Şubat 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor’ın RDS'li yeni nesil 1200V G3R ™ SiC MOSFET'leri(AÇIK) değişen seviyeler 20 mΩ ila 350 mΩ benzeri görülmemiş düzeyde performans sunar, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları daha yüksek verimliliği içerir, daha hızlı anahtarlama frekansı, artan güç yoğunluğu, azaltılmış zil sesi (EMI) ve kompakt sistem boyutu.
GeneSiC, endüstri lideri performansa sahip endüstri lideri 3. nesil Silikon Karbür MOSFET'lerin kullanılabilirliğini duyurdu, Otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda daha önce hiç görülmemiş düzeyde verimlilik ve sistem güvenilirliği sağlamak için sağlamlık ve kalite.
Bu G3R ™ SiC MOSFET'leri, optimize edilmiş düşük endüktanslı ayrı paketlerde sunulur (SMD ve açık delik), yüksek verimlilik seviyeleri ve ultra hızlı anahtarlama hızları gerektiren güç sistemi tasarımları için son derece optimize edilmiştir. Bu cihazlar, rakip ürünlere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir.. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüşlü yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer önerilerini daha da geliştirir.
"Yıllar süren geliştirme çalışmalarından sonra, en düşük durum üstü direnci ve gelişmiş kısa devre performansını elde etmeye yönelik çalışmalar, Endüstrinin en iyi performans gösteren 1200V SiC MOSFET'lerini piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz. 15+ ayrık ve çıplak çipli ürünler. Yeni nesil güç elektroniği sistemleri zorlu verimliliği karşılayacaksa, otomotiv gibi uygulamalarda güç yoğunluğu ve kalite hedefleri, Sanayi, yenilenebilir enerji, toplu taşıma, BT ve telekom, daha sonra, şu anda mevcut SiC MOSFET'lere kıyasla önemli ölçüde geliştirilmiş cihaz performansı ve güvenilirlik gerektirirler” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor şirketinde President.
Özellikleri –
- Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü – G3R ™ SiC MOSFET'ler, çok düşük bir kapı şarjı ile endüstrinin en düşük durum üzerinde direncine sahiptir, sonuçlanan 20% diğer benzer rakip cihazlardan daha iyi değer
- Tüm sıcaklıklarda düşük iletim kayıpları – GeneSiC’nin MOSFET'leri, tüm sıcaklıklarda çok düşük iletim kayıpları sunmak için durumdaki direncin en yumuşak sıcaklık bağımlılığına sahiptir.; piyasadaki diğer tüm hendek ve düzlemsel SiC MOSFET'lerden önemli ölçüde daha iyi
- 100 % çığ testi yapıldı – Sağlam UIL yeteneği, saha uygulamalarının çoğu için kritik bir gerekliliktir. GeneSiC’nin 1200V SiC MOSFET ayrık 100 % çığ (ÜS) üretim sırasında test edildi
- Düşük kapı şarjı ve düşük iç kapı direnci – Bu parametreler, ultra hızlı anahtarlamanın gerçekleştirilmesi ve en yüksek verimliliklerin elde edilmesi açısından kritik öneme sahiptir. (düşük Eon -Eoff) çok çeşitli uygulama anahtarlama frekanslarında
- 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma – GeneSiC’in tüm SiC MOSFET'leri, herhangi bir arıza riski olmaksızın tüm çalışma koşullarında kararlı ve güvenilir ürünler sunmak için son teknoloji proseslerle tasarlanmış ve üretilmiştir.. Bu cihazların üstün geçit oksit kalitesi, herhangi bir eşiği önler (VTH) sürüklenme
- Düşük cihaz kapasitansları – G3R ™, düşük cihaz kapasiteleri ile daha hızlı ve daha verimli sürmek üzere tasarlanmıştır - Ciss, Coss ve Crss
- Düşük dahili şarjlı hızlı ve güvenilir gövde diyotu – GeneSiC’nin MOSFET'leri, karşılaştırmalı düşük ters geri kazanım ücretine sahiptir (QRR) tüm sıcaklıklarda; 30% benzer şekilde derecelendirilen rakip cihazlardan daha iyi. Bu, güç kayıplarında daha fazla azalma sağlar ve çalışma frekanslarını artırır
- Kullanım kolaylığı – G3R ™ SiC MOSFET'ler + 15V'de çalıştırılmak üzere tasarlanmıştır / -5V kapısı sürücüsü. Bu, mevcut ticari IGBT ve SiC MOSFET geçit sürücüleriyle en geniş uyumluluğu sunar
Uygulamalar –
- Elektrikli araç – Güç Aktarma Sistemi ve Şarj Etme
- Solar İnvertör ve Enerji Depolama
- Endüstriyel Motor Sürücüsü
- Kesintisiz güç kaynağı (GÜÇ KAYNAĞI)
- Anahtarlamalı Mod Güç Kaynağı (SMPS)
- Çift yönlü DC-DC dönüştürücüler
- Akıllı Şebeke ve HVDC
- İndüksiyonla Isıtma ve Kaynak
- Darbeli Güç Uygulaması
Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support
Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet veya iletişim sales@genesicsemi.com
GeneSiC Semiconductor’ın SiC MOSFET’lerinin tümü otomotiv uygulamaları için hedeflenmiştir (AEC-q101) ve PPAP uyumlu. Tüm cihazlar endüstri standardı D2PAK'ta sunulmaktadır, TO-247 ve SOT-227 paketleri.
GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.
