DULES, VA, Ekim 20, 2020 — GeneSiC, benzeri görülmemiş seviyelerde performans sunmada öncü olmak için 6.5kV silisyum karbür MOSFET'leri piyasaya sürdü., çekiş gibi orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında verimlilik ve güvenilirlik, darbeli güç ve akıllı şebeke altyapısı.
GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün 6.5kV SiC MOSFET çıplak yongaların - G2R300MT65-CAL ve G2R325MS65-CAL - hemen kullanılabilir olduğunu duyurdu. Bu teknolojiyi kullanan tam SiC modülleri yakında piyasaya sürülecek. Uygulamaların çekiş içermesi bekleniyor, darbeli güç, akıllı şebeke altyapısı ve diğer orta gerilim güç dönüştürücüler.
G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip
G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (Entegre Schottky ile) Çıplak Çip
G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip
GeneSiC’nin yeniliği SiC çift implante metal oksit yarı iletkeni içerir (DMOSFET) kavşak bariyerli cihaz yapısı schottky (JBS) SiC DMOSFET birim hücresine entegre redresör. Bu öncü güç cihazı, yeni nesil güç dönüştürme sistemlerinde çeşitli güç dönüştürme devrelerinde kullanılabilir.. Diğer önemli avantajlar arasında daha verimli çift yönlü performans bulunur, sıcaklıktan bağımsız anahtarlama, düşük anahtarlama ve iletim kayıpları, azaltılmış soğutma gereksinimleri, üstün uzun vadeli güvenilirlik, paralelleme cihazlarının kolaylığı ve maliyet avantajları. GeneSiC’nin teknolojisi üstün performans sunar ve ayrıca güç dönüştürücülerdeki net SiC malzeme ayak izini azaltma potansiyeline sahiptir..
“GeneSiC’in 6,5 kV SiC MOSFET'leri, düşük durumdaki direnci sağlamak için 6 inçlik gofretler üzerinde tasarlanmış ve üretilmiştir., en yüksek kalite, ve üstün fiyat-performans endeksi. Bu yeni nesil MOSFET teknolojisi, mükemmel performans vaat ediyor, orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında üstün sağlamlık ve uzun vadeli güvenilirlik.” dedim Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC Semiconductor'da Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı.
GeneSiC’nin 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET teknolojisi özellikleri –
- Yüksek çığ (UIS) ve kısa devre sağlamlığı
- Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
- Sıcaklıktan bağımsız anahtarlama kayıpları
- Düşük kapasitans ve düşük kapı şarjı
- Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
- 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma
- +20 V / -5 V kapısı sürücüsü
Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip veya iletişim sales@genesicsemi.com
GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.
