GeneSiC Semiconductor Inc, Silisyum Karbür tabanlı güç cihazlarında önemli bir yenilikçi, geçen hafta prestijli ödüle layık görüldüğünü duyurarak onurlandırıldı. 2011 r&NS 100 ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2010. r&D Magazine, GeneSiC'in Ultra Yüksek Voltajlı SiC Tristörünü, güç elektroniği gösterileri için daha önce hiç kullanılmamış olan engelleme voltajlarını ve frekanslarını elde etme yeteneği nedeniyle tanıdı.. voltaj değerleri >6.5kV, durum geçerli derecelendirme 80 A ve çalışma frekansları >5 kHz, daha önce piyasaya sunulanlardan çok daha yüksektir. GeneSiC'nin Tristörleri tarafından elde edilen bu yetenekler, kritik olarak güç elektroniği araştırmacılarının şebekeye bağlı invertörler geliştirmelerini sağlar., Esnek
AC İletim Sistemleri (GERÇEKLER) ve Yüksek Gerilim DC Sistemleri (HVDC). Bu, yenilenebilir enerji içinde yeni buluşlara ve ürün geliştirmelerine izin verecektir., güneş invertörleri, rüzgar enerjisi invertörleri, ve enerji depolama endüstrileri. Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı, “Güç dönüştürme alanındaki araştırmacıların SiC Tristörlerin faydalarını tam olarak fark etmesinin ardından katı hal elektrik trafo merkezlerinde ve rüzgar türbini jeneratörlerinde büyük ölçekli pazarların açılması bekleniyor.. Bu birinci nesil SiC Tristörler, SiC Tristörlerde şimdiye kadar elde edilen en düşük durumsal voltaj düşüşünü ve diferansiyel açık dirençleri kullanır.. Kapı kontrollü Kapatma özelliği ve darbeli güç kapasitesi için optimize edilmiş gelecek nesil SiC Tristörleri piyasaya sürmeyi amaçlıyoruz ve >10kV değerleri. Yüksek sıcaklıkta ultra yüksek voltajlı paketleme çözümleri geliştirmeye devam ederken, mevcut 6.5kV Tristörler, tamamen lehimli kontaklara sahip modüller halinde paketlenmiştir, 150oC bağlantı sıcaklıkları ile sınırlıdır. Bu ürün Ekim ayında piyasaya çıktığından beri 2010, GeneSiC, bu Silisyum Karbür Tristörleri kullanan gelişmiş güç elektroniği donanımının gösterilmesi için birden fazla müşteriden sipariş aldı. GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör ürünleri ailesini geliştirmeye devam ediyor. R&Güç dönüştürme uygulamaları için erken sürümde D, ABD Departmanı'ndan SBIR finansman desteği ile geliştirildi. enerjinin. Daha ileri, Darbeli Güç optimize edilmiş SiC Tristörler, ARDEC ile yapılan başka bir SBIR sözleşmesi kapsamında geliştiriliyor, Amerikan ordusu. Bu teknik gelişmeleri kullanmak, GeneSiC'den dahili yatırım ve birden fazla müşteriden gelen ticari siparişler, GeneSiC, bu UHV Tristörlerini ticari ürünler olarak sunabildi.
R tarafından düzenlenen 49. yıllık teknoloji yarışması&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.
R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&NS 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, hükümet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..
GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.
GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.
