Yayınlanan

G3R™ 750V SiC MOSFET'ler Eşsiz Performans ve Güvenilirlik Sunar

750V G3R SiC MOSFET

DULES, VA, Haziran 04, 2021 — GeneSiC'in yeni nesil 750V G3R™SiC MOSFET'leri, benzeri görülmemiş düzeyde performans sunacak, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları, çalışma sıcaklıklarında düşük durum düşüşlerini içerir, daha hızlı anahtarlama hızları, artan güç yoğunluğu, minimum zil sesi (düşük EMI) ve kompakt sistem boyutu. GeneSiC G3R™, optimize edilmiş düşük endüktanslı ayrı paketlerde sunulur (SMD ve açık delik), tüm çalışma koşullarında ve ultra hızlı anahtarlama hızlarında en düşük güç kayıplarıyla çalışacak şekilde optimize edilmiştir. Bu cihazlar, çağdaş SiC MOSFET'lere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir..

750V G3R SiC MOSFET

"Yüksek verimli enerji kullanımı, yeni nesil güç dönüştürücülerinde kritik bir çıktı haline geldi ve SiC güç cihazları bu devrimi yönlendiren temel bileşenler olmaya devam ediyor.. En düşük durum direncine ve sağlam kısa devre ve çığ performansına ulaşmak için yıllarca süren geliştirme çalışmalarından sonra, endüstrinin en iyi performans gösteren 750V SiC MOSFET'lerini piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz. G3R™ ürünümüz, güç elektroniği tasarımcılarının zorlu verimliliği karşılamasını sağlar, solar invertörler gibi uygulamalarda güç yoğunluğu ve kalite hedefleri, EV yerleşik şarj cihazları ve sunucu/telekom güç kaynakları. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüş ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer tekliflerini daha da geliştiriyor. ” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor şirketinde President.

Özellikleri –

  • Endüstrinin en düşük kapı ücreti (QG) ve iç kapı direnci (RG(INT))
  • En düşük RDS(AÇIK) sıcaklıkla değişim
  • Düşük çıkış kapasitansı (CBİZE) ve mil kapasitansı (CGD)
  • 100% çığ (ÜS) üretim sırasında test edildi
  • Endüstri lideri kısa devre dayanım özelliği
  • Düşük V ile hızlı ve güvenilir vücut diyotuF ve düşük QRR
  • Yüksek ve kararlı kapı eşik voltajı (VTH) tüm sıcaklık ve drenaj önyargı koşullarında
  • Daha düşük termal direnç ve daha düşük zil sesi için gelişmiş paketleme teknolojisi
  • R'nin üretim tekdüzeliğiDS(AÇIK), VTH ve arıza gerilimi (BV)
  • Kapsamlı ürün portföyü ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile daha güvenli tedarik zinciri

Uygulamalar –

  • Güneş (PV) İnvertörler
  • EV / HEV Yerleşik Şarj Cihazları
  • sunucu & Telekom Güç Kaynakları
  • Kesintisiz güç kaynakları (GÜÇ KAYNAĞI)
  • DC-DC Dönüştürücüler
  • Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
  • Enerji Depolama ve Pil Şarjı
  • İndüksiyonlu Isıtma

GeneSiC Semiconductor’ın SiC MOSFET’lerinin tümü otomotiv uygulamaları için hedeflenmiştir (AEC-q101) ve PPAP uyumlu.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFET ticareti

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ veya iletişim sales@genesicsemi.com

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Elektronik

Arrow Elektronik

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

Yayınlanan

GeneSiC prestijli R'yi kazandı&SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarı için D100 Ödülü

DULES, VA, Aralık 5, 2019 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2019 r&NS 100 SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarının geliştirilmesi için ödül.

GeneSiC Semiconductor Inc, Silisyum Karbür bazlı güç cihazlarında önemli bir yenilikçi, prestijli ödüle layık görüldüğünü duyurarak onurlandırıldı. 2019 r&NS 100 ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2018. r&D Magazine, MOSFET ve Schottky doğrultucuyu tek bir çip üzerinde monolitik olarak entegre etme yeteneği nedeniyle GeneSiC'nin orta gerilim SiC güç cihazı teknolojisini tanıdı.. GeneSiC cihazı tarafından elde edilen bu yetenekler, güç elektroniği araştırmacılarının invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi yeni nesil güç elektroniği sistemleri geliştirmesine kritik bir şekilde olanak tanır.. Bu, elektrikli araçlarda ürün geliştirmelerine izin verecek, şarj altyapısı, yenilenebilir enerji ve enerji depolama endüstrileri. GeneSiC, bu cihazları kullanan gelişmiş güç elektroniği donanımının gösterilmesine yönelik birden fazla müşteriden sipariş aldı ve Silisyum Karbür MOSFET ürünleri ailesini geliştirmeye devam ediyor.. R&Güç dönüştürme uygulamaları için erken sürümde D, ABD Departmanı aracılığıyla geliştirildi. Enerji ve Sandia Ulusal Laboratuvarları ile işbirliği.

R tarafından yürütülen yıllık teknoloji yarışması&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.

R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&NS 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, hükümet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.

Yayınlanan

GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör tabanlı cihazların geliştirilmesine yönelik ARPA-E'den 2,53 milyon dolar kazandı

DULES, VA, Eylül 28, 2010 - İleri Araştırma Projeleri Ajansı - Enerji (ARPA-E) GeneSiC Semiconductor liderliğindeki ekiple yeni ultra yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesine yönelik bir İşbirliği Anlaşması imzaladı (SiC) Tristör tabanlı cihazlar. Bu cihazların, büyük ölçekli rüzgar ve güneş enerjisi santrallerini yeni nesil Akıllı Şebekeye entegre etmede kilit kolaylaştırıcılar olması bekleniyor..

"GeneSiC'ye verilen bu son derece rekabetçi ödül, multi-kV Silisyum Karbür teknolojisindeki teknik liderlik konumumuzu genişletmemizi sağlayacak., katı hal çözümleriyle şebeke ölçeğinde alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığımızın yanı sıra,” yorumladı Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “Geliştirmekte olduğumuz Multi-kV SiC Tristörler, Esnek AC İletim Sistemlerinin gerçekleştirilmesine yönelik anahtar teknolojidir. (GERÇEKLER) elemanlar ve Yüksek Gerilim DC (HVDC) bütünleşik bir yapıya yönelik tasarlanan mimariler, verimli, Geleceğin Akıllı Şebekesi. GeneSiC'nin SiC tabanlı Tristörleri 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100X, geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla FACTS ve HVDC güç işleme çözümlerinde daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma.”

Nisan içinde 2010, GeneSiC, Elektrik Gücü Teknolojisinin Çevik Teslimatına Yanıt Verdi (ADAPT) Maliyette düşüşler sunarken mevcut güç dönüştürücü performansını sıçrama potansiyeline sahip yüksek gerilim anahtarlarındaki temel ilerlemeler için malzemelere yatırım yapmaya çalışan ARPA-E'den talep. Şirketin “orta gerilim güç dönüşümü için Silisyum Karbür Anot Anahtarlamalı Tristör” başlıklı önerisi, hafiflik sağlamak için seçilmiştir., katı hal, katı hal elektrik trafo merkezleri ve rüzgar türbini jeneratörleri gibi yüksek güçlü uygulamalar için orta gerilim enerji dönüşümü. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma. Seçilen yenilikler ABD'yi desteklemek ve tanıtmaktı.. teknolojik liderlik yoluyla işletmeler, son derece rekabetçi bir süreçle.

Silisyum karbür, geleneksel silisyumdan çok daha üstün özelliklere sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., 300ºC kadar yüksek sıcaklıklarda voltajın on katı ve akımın yüz katı ile başa çıkma yeteneği gibi. Bu özellikler, onu hibrit ve elektrikli araçlar gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir., yenilenebilir enerji (rüzgar ve güneş) tesisler, ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.

Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR Kompansatörler ve Seri Kompansatörler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu cihazlar için gelecek vaat eden diğer uygulamalar ve avantajlar şunlardır::

  • Geleceğin Deniz Yeteneği kapsamında Orta Gerilim DC dönüşümü için güç yönetimi ve güç koşullandırma sistemleri aranıyor (FNC) ABD Donanması, Elektro-manyetik fırlatma sistemleri, yüksek enerjili silah sistemleri ve tıbbi görüntüleme. 10-100X daha yüksek çalışma frekansı kapasitesi, boyutta eşi görülmemiş iyileştirmeler sağlar, ağırlık, hacim ve nihayetinde, bu tür sistemlerin maliyeti.
  • Çeşitli enerji depolama, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları artan bir ilgi görmektedir..

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

“Kapsamlı bir üretim paketi ile cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğimizden yararlanarak ultra yüksek voltajlı SiC teknolojisinde bir lider olarak ortaya çıktık., karakterizasyon, ve test tesisleri,” sonucuna varıyor Dr.. Singh. "GeneSiC'nin konumu, bu önemli müteakip ödülle artık ABD DOE tarafından etkin bir şekilde doğrulandı."

GeneSiC Yarı İletken Hakkında

Washington yakınlarında stratejik bir konuma sahip, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edinwww.genesicsemi.com.