DULES, VA, Aralık 4, 2020 — GeneSiC, benzersiz bir minyatürleştirme elde etmek için optimize edilmiş endüstri lideri 3300V ve 1700V ayrık SiC MOSFET'lerin kullanılabilirliğini duyurdu, endüstriyel temizlik gücünde güvenilirlik ve enerji tasarrufu.
GeneSiC Yarı İletken, kapsamlı bir Silisyum Karbür portföyünün öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün, yeni nesil 3300V ve 1700V 1000mΩ SiC MOSFET'lerin - G2R1000MT17J'nin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor, G2R1000MT17D, ve G2R1000MT33J. Bu SiC MOSFET'ler üstün performans seviyeleri sağlar, amiral gemisi liyakat rakamlarına göre (FoM) enerji depolamada güç sistemlerini geliştiren ve basitleştiren, yenilenebilir enerji, endüstriyel motorlar, genel amaçlı invertörler ve endüstriyel aydınlatma. Serbest bırakılan ürünler:
G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
GeneSiC’nin yeni 3300V ve 1700V SiC MOSFET'leri, SMD ve Through-Hole ayrı paketler olarak 1000mΩ ve 450mΩ seçenekleri mevcuttur, yüksek verimlilik seviyeleri ve ultra hızlı anahtarlama hızları gerektiren güç sistemi tasarımları için son derece optimize edilmiştir. Bu cihazlar, rakip ürünlere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir.. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüşlü yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer önerilerini daha da geliştirir.
"1500V solar inverterler gibi uygulamalarda, Yardımcı güç kaynağındaki MOSFET, 2500V aralığındaki voltajlara dayanmak zorunda kalabilir, giriş voltajına bağlı olarak, transformatörün dönüş oranı ve çıkış voltajı. Yüksek arıza voltajı MOSFET'leri Flyback'te seri bağlı anahtarlara olan ihtiyacı ortadan kaldırır, Yükseltme ve İletme dönüştürücüler, böylece parça sayısını azaltır ve devre karmaşıklığını azaltır. GeneSiC’nin 3300V ve 1700V ayrık SiC MOSFET'leri, tasarımcıların daha basit tek anahtar tabanlı topoloji kullanmasına ve aynı zamanda müşterilere güvenilir, kompakt ve uygun maliyetli sistem” Sumit Jadav dedi, GeneSiC Semiconductor şirketinde Senior Applications Manager.
Özellikleri –
- Üstün fiyat-performans endeksi
- Amiral gemisi QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
- Düşük iç kapasite ve düşük kapı şarjı
- Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
- Yüksek çığ ve kısa devre sağlamlığı
- 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma için kıyaslama eşik voltajı
Uygulamalar –
- Yenilenebilir enerji (güneş invertörleri) ve enerji depolama
- Endüstriyel motorlar (ve bağ)
- Genel amaçlı invertörler
- Endüstriyel aydınlatma
- Piezo sürücüleri
- İyon ışını jeneratörleri
Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support
Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet veya iletişim sales@genesicsemi.com
GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.
GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.
