DULES, VA, Eylül 28, 2010 - İleri Araştırma Projeleri Ajansı - Enerji (ARPA-E) GeneSiC Semiconductor liderliğindeki ekiple yeni ultra yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesine yönelik bir İşbirliği Anlaşması imzaladı (SiC) Tristör tabanlı cihazlar. Bu cihazların, büyük ölçekli rüzgar ve güneş enerjisi santrallerini yeni nesil Akıllı Şebekeye entegre etmede kilit kolaylaştırıcılar olması bekleniyor..
"GeneSiC'ye verilen bu son derece rekabetçi ödül, multi-kV Silisyum Karbür teknolojisindeki teknik liderlik konumumuzu genişletmemizi sağlayacak., katı hal çözümleriyle şebeke ölçeğinde alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığımızın yanı sıra,” yorumladı Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “Geliştirmekte olduğumuz Multi-kV SiC Tristörler, Esnek AC İletim Sistemlerinin gerçekleştirilmesine yönelik anahtar teknolojidir. (GERÇEKLER) elemanlar ve Yüksek Gerilim DC (HVDC) bütünleşik bir yapıya yönelik tasarlanan mimariler, verimli, Geleceğin Akıllı Şebekesi. GeneSiC'nin SiC tabanlı Tristörleri 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100X, geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla FACTS ve HVDC güç işleme çözümlerinde daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma.”
Nisan içinde 2010, GeneSiC, Elektrik Gücü Teknolojisinin Çevik Teslimatına Yanıt Verdi (ADAPT) Maliyette düşüşler sunarken mevcut güç dönüştürücü performansını sıçrama potansiyeline sahip yüksek gerilim anahtarlarındaki temel ilerlemeler için malzemelere yatırım yapmaya çalışan ARPA-E'den talep. Şirketin “orta gerilim güç dönüşümü için Silisyum Karbür Anot Anahtarlamalı Tristör” başlıklı önerisi, hafiflik sağlamak için seçilmiştir., katı hal, katı hal elektrik trafo merkezleri ve rüzgar türbini jeneratörleri gibi yüksek güçlü uygulamalar için orta gerilim enerji dönüşümü. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma. Seçilen yenilikler ABD'yi desteklemek ve tanıtmaktı.. teknolojik liderlik yoluyla işletmeler, son derece rekabetçi bir süreçle.
Silisyum karbür, geleneksel silisyumdan çok daha üstün özelliklere sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., 300ºC kadar yüksek sıcaklıklarda voltajın on katı ve akımın yüz katı ile başa çıkma yeteneği gibi. Bu özellikler, onu hibrit ve elektrikli araçlar gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir., yenilenebilir enerji (rüzgar ve güneş) tesisler, ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.
Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR Kompansatörler ve Seri Kompansatörler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu cihazlar için gelecek vaat eden diğer uygulamalar ve avantajlar şunlardır::
- Geleceğin Deniz Yeteneği kapsamında Orta Gerilim DC dönüşümü için güç yönetimi ve güç koşullandırma sistemleri aranıyor (FNC) ABD Donanması, Elektro-manyetik fırlatma sistemleri, yüksek enerjili silah sistemleri ve tıbbi görüntüleme. 10-100X daha yüksek çalışma frekansı kapasitesi, boyutta eşi görülmemiş iyileştirmeler sağlar, ağırlık, hacim ve nihayetinde, bu tür sistemlerin maliyeti.
- Çeşitli enerji depolama, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları artan bir ilgi görmektedir..
GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.
“Kapsamlı bir üretim paketi ile cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğimizden yararlanarak ultra yüksek voltajlı SiC teknolojisinde bir lider olarak ortaya çıktık., karakterizasyon, ve test tesisleri,” sonucuna varıyor Dr.. Singh. "GeneSiC'nin konumu, bu önemli müteakip ödülle artık ABD DOE tarafından etkin bir şekilde doğrulandı."
GeneSiC Yarı İletken Hakkında
Washington yakınlarında stratejik bir konuma sahip, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edinwww.genesicsemi.com.
