Yayınlanan

5Sınıfının En İyisi Verimlilik için. Nesil 650V SiC Schottky MPS ™ Diyotlar

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULES, VA, Mayıs 28, 2021 — GeneSiC Yarı İletken, Silisyum Karbür'ün öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletken cihazlar, 5. neslin kullanılabilirliğini duyurdu (GE*** serisi) Üstün fiyat-performans indeksi ile yeni bir ölçüt oluşturan SiC Schottky MPS™ doğrultucular, endüstri lideri aşırı akım ve çığ sağlamlığı, ve kaliteli üretim.

“GeneSiC, ticari olarak SiC Schottky redresörlerini ticari olarak tedarik eden ilk SiC üreticilerinden biriydi. 2011. Sektörde on yılı aşkın bir süredir yüksek performanslı ve kaliteli SiC doğrultucular tedarik ettikten sonra, 5. nesil SiC Schottky MPS™ ürünümüzü piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz (Birleştirilmiş-PiN-Schottky) sunucu/telekom güç kaynakları ve pil şarj cihazları gibi uygulamalarda yüksek verimlilik ve güç yoğunluğu hedeflerini karşılamak için her açıdan endüstri lideri performans sunan diyotlar. 5. Nesilimizi yapan devrim niteliğindeki özellik (GE*** serisi) SiC Schottky MPS™ diyotları, düşük yerleşik voltajıyla benzerleri arasında öne çıkıyor (diz gerilimi olarak da bilinir);tüm yük koşullarında en düşük diyot iletim kayıplarını sağlar – yüksek verimli enerji kullanımı gerektiren uygulamalar için çok önemlidir. Diğer rakip SiC diyotların aksine, düşük diz özellikleri sunmak üzere tasarlanmıştır, Gen5 diyot tasarımlarımızın ek bir özelliği de, bu yüksek çığ seviyesini hala korumalarıdır. (ÜS) müşterilerimizin GeneSiC'nin Gen3'ünden beklediği sağlamlık (GC*** serisi) ve Gen4 (GD*** serisi) SiC Schottky MPS ™” dedi Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiC Semiconductor'da Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı.

Özellikleri –

  • Düşük Dahili Voltaj – Tüm Yük Koşullarında En Düşük İletim Kaybı
  • Üstün Liyakat Figürü – KK x VF
  • Optimum Fiyat Performansı
  • Gelişmiş Dalgalanma Akımı Yeteneği
  • 100% çığ (ÜS) test edildi
  • Soğutucu Çalışması için Düşük Termal Direnç
  • Sıfır İleri ve Geri Kurtarma
  • Sıcaklıktan Bağımsız Hızlı Anahtarlama
  • VF'nin Pozitif Sıcaklık Katsayısı

Uygulamalar –

  • Güç Faktörü Düzeltmesinde Güçlendirme Diyodu (PFC)
  • Sunucu ve Telekom Güç Kaynakları
  • Güneş İnvertörleri
  • Kesintisiz güç kaynakları (GÜÇ KAYNAĞI)
  • Pil Şarj Cihazları
  • serbest dönüş / İnvertörlerde Paralel Karşıtı Diyot

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

Yayınlanan

Yüksek akım kapasiteli 650V, 1200Mini modül SOT-227 paketinde V ve 1700V SiC Schottky MPS ™ diyotlar

DULES, VA, Mayıs 11, 2019 — GeneSiC, yüksek akım kapasitesinde pazar lideri oldu (100 bir ve 200 Bir) SOT-227 mini modülünde SiC schottky diyotları

GeneSiC, GB2X50MPS17-227'yi tanıttı, GC2X50MPS06-227 ve GC2X100MPS06-227; endüstrinin en yüksek akım dereceli 650V ve 1700V SiC schottky diyotları, mevcut 1200V SiC schottky diyot mini modül portföyüne ekleme – GB2X50MPS12-227 ve GB2X100MPS12-227. Bu SiC diyotları, silikon bazlı ultra hızlı kurtarma diyotlarının yerini alıyor, mühendislerin daha yüksek verimlilik ve daha yüksek güç yoğunluğu ile anahtarlama devreleri oluşturmasını sağlamak. Uygulamaların elektrikli araç hızlı şarj cihazlarını içermesi bekleniyor, motor sürücüleri, ulaşım güç kaynakları, yüksek güç düzeltme ve endüstriyel güç kaynakları.

SOT-227 mini modül paketinin izole edilmiş taban plakasına ek olarak, bu yeni çıkan diyotlar, düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptir, sıfır ileri kurtarma, sıfır geri kurtarma, düşük bağlantı kapasitansı ve maksimum 175 °C çalışma sıcaklığı için derecelendirilmiştir. GeneSiC'in üçüncü nesil SiC schottky diyot teknolojisi, endüstri lideri çığ dayanıklılığı ve aşırı akım akımı sağlar (ifsm) sağlamlık, yüksek kaliteli otomotiv nitelikli 6 inçlik imalat ve gelişmiş yüksek güvenilirliğe sahip ayrık montaj teknolojisi ile birleştirilmiştir.

Bu SiC diyotlar, SOT-227'de bulunan diğer diyotların pin uyumlu doğrudan yerine geçer. (mini modül) paket. Düşük güç kayıplarından yararlanma (soğutucu çalışma) ve yüksek frekanslı anahtarlama yeteneği, tasarımcılar artık tasarımlarda daha fazla dönüştürme verimliliği ve daha fazla güç yoğunluğu elde edebilir.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.