GeneSiC, SiC güç cihazlarına üstün maliyet-performans indeksi sağlayarak mümkün olan en iyi müşteri odaklı tasarımları sunmak için başarılıdır., yüksek sağlamlık ve yüksek kalite.
Uygulamalar şunları içerir::
- Güç Faktörü Düzeltmesinde Güçlendirme Diyodu (PFC)
- Anahtarlamalı Mod Güç Kaynağı (SMPS)
- Elektrikli Araçlar – Güç Aktarma Organı, DC-DC Dönüştürücü ve Yerleşik Şarj
- Aşırı Hızlı Şarj Altyapısı
- Solar İnvertörler ve Enerji Depolama
- Çekiş
- Veri Merkezi Güç Kaynakları
- İndüksiyonla Isıtma ve Kaynak
- Yüksek Gerilim DC-DC Dönüştürücüler
- serbest sürüş / Anti-paralel Diyot
- LED ve HID Aydınlatma
- Tıbbi Görüntüleme Sistemleri
- Aşağı Delik Petrol Sondaj Güç Dönüştürücüler
- Yüksek Gerilim Algılama
- Darbeli Güç
Ziyaret etmek www.genesicsemi.com/applications daha fazla öğrenmek için!
DE-SAT koruması ve yüksek yan anahtar kapısı sürücü önyükleme devreleri gibi yüksek voltaj algılama uygulamaları için, DO-214 ve TO-252-2 paketleri ideal çözümlerdir.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
TO-247-3 paketi, güç faktörü düzeltmesi gibi uygulamalarda daha yüksek güç yoğunluğu ve BOM azaltma için büyük esneklik sunar (PFC) iki diyot arasında ortak bir katot paylaşan inter.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Uygulama Notları:
Sorry, no posts were found.
Teknik Makaleler:
Hibrit Si-IGBT/SiC Doğrultucu ortak paketleri ve SiC JBS Doğrultucular
Eylül, 2011 Hibrit Si-IGBT/SiC Doğrultucu ortak paketleri ve SiC JBS Doğrultucular
12.9 Düşük Durum Düşüşlü ve Yüksek Taşıyıcı Ömürlü kV SiC PiN Diyotlar
Eylül, 2011 12.9 Düşük Durum Düşüşlü ve Yüksek Taşıyıcı Ömürlü kV SiC PiN Diyotlar
1200 ≥ için optimize edilmiş V SiC Schottky Doğrultucular 250 Sınıfının en düşük bağlantı kapasitansı ile °C çalışması
Temmuz, 2012 1200 ≥ için optimize edilmiş V SiC Schottky Doğrultucular 250 Sınıfının en düşük bağlantı kapasitansı ile °C çalışması
15 kV SiC PiN diyotlar elde 95% çığ sınırı ve istikrarlı uzun vadeli çalışma
Mart, 2013 15 kV SiC PiN diyotlar elde 95% çığ sınırı ve istikrarlı uzun vadeli çalışma