Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi
Ekim, 2008 Yarı Yalıtımlı Silisyum Karbür Tabanlı Radyasyon Dedektörlerinin Geliştirilmesi
4H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon
Eylül, 2010 4H-SiC PiN diyotlarda taşıyıcı rekombinasyon ömrü ile ileri voltaj düşüşü arasındaki korelasyon
Hibrit Si-IGBT/SiC Doğrultucu ortak paketleri ve SiC JBS Doğrultucular
Eylül, 2011 Hibrit Si-IGBT/SiC Doğrultucu ortak paketleri ve SiC JBS Doğrultucular
12.9 Düşük Durum Düşüşlü ve Yüksek Taşıyıcı Ömürlü kV SiC PiN Diyotlar
Eylül, 2011 12.9 Düşük Durum Düşüşlü ve Yüksek Taşıyıcı Ömürlü kV SiC PiN Diyotlar
1200 ≥ için optimize edilmiş V SiC Schottky Doğrultucular 250 Sınıfının en düşük bağlantı kapasitansı ile °C çalışması
Temmuz, 2012 1200 ≥ için optimize edilmiş V SiC Schottky Doğrultucular 250 Sınıfının en düşük bağlantı kapasitansı ile °C çalışması