Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
Nis, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
Haz, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) Hazır Silikon IGBT Kapı Sürücüleriyle: Tek Seviyeli Tahrik Konsepti
Mayıs 2013 AN-10A Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) Hazır Silikon IGBT Kapı Sürücüleriyle: Tek Seviyeli Sürücü Konsepti
AN-10B Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT): İki Seviyeli Kapı Tahrik Konsepti
Haziran 2013 AN-10B Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT): İki Seviyeli Kapı Tahrik Konsepti
Çift Darbe Anahtarlama Kartı
Eylül 2014 Çift Darbe Anahtarlama Kartı