Ultra Hızlı SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri (< 15 ns) Anahtarlama Yeteneği
Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs
10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
Akım Kazancı Sağlayan Hızla Olgunlaşan SiC Bağlantı Transistörleri (b) > 130, Şuna Kadar Engelleme Gerilimleri 2700 V ve Kararlı Uzun Vadeli Operasyon
Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) Hazır Silikon IGBT Kapı Sürücüleriyle: Tek Seviyeli Tahrik Konsepti
AN-10B Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT): İki Seviyeli Kapı Tahrik Konsepti
Çift Darbe Anahtarlama Kartı
Çift Darbe Anahtarlama Kartı
Yüksek Güç Kapısı Sürücü Kartı
Yüksek Güç Kapısı Sürücü Kartı