Publicerat den

G3R ™ 750V SiC MOSFET erbjuder oöverträffad prestanda och tillförlitlighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, Juni 04, 2021 — GeneSiCs nästa generations 750V G3R ™ SiC MOSFETs kommer att leverera enastående prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar låga fall på plats vid driftstemperaturer, snabbare växlingshastigheter, ökad effekttäthet, minimal ringning (låg EMI) och kompakt systemstorlek. GeneSiCs G3R ™, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är optimerade för att fungera med lägsta effektförluster under alla driftsförhållanden och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med samtida SiC MOSFET.

750V G3R SiC MOSFET

”Högeffektiv energianvändning har blivit en kritisk leverans i nästa generations kraftomvandlare och SiC-kraftenheter är fortfarande de viktigaste komponenterna som driver denna revolution. Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och robust kortslutnings- och lavinprestanda, vi är glada att kunna släppa branschens bäst prestanda 750V SiC MOSFET. Våra G3R ™ gör det möjligt för kraftelektronikdesigners att möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som solomvandlare, EV-inbyggda laddare och server- / telekomströmförsörjning. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning och bilkvalificerad högvolymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare. ” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Branschens lägsta portavgift (FG) och inre grindmotstånd (RG(INT))
  • Lägsta RDS(PÅ) förändras med temperaturen
  • Låg uteffekt (CUSA) och mjukare kapacitans (CGD)
  • 100% lavin (UIL) testas under produktionen
  • Branschledande kortslutningsmotstånd
  • Snabb och pålitlig karossdiod med låg VF och låg QRR
  • Hög och stabil grindtröskelspänning (VTH) över alla temperatur- och dräneringsförspänningsförhållanden
  • Avancerad förpackningsteknik för lägre värmebeständighet och lägre ringning
  • Tillverkningsuniformitet av RDS(PÅ), VTH och nedbrytningsspänning (BV)
  • Omfattande produktportfölj och säkrare leveranskedja med bilkvalificerad högvolymtillverkning

Ansökningar –

  • Sol (PV) Omvandlare
  • EV / HEV-laddare
  • Server & Telekom nätaggregat
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • DC-DC-omvandlare
  • Strömförsörjning med omkopplat läge (SMPS)
  • Energilagring och batteriladdning
  • Induktionsuppvärmning

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handla SiC MOSFET

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC vinner prestigefyllda R&D100-pris för SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare

DULLES, VA, december 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Pris för utveckling av SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare.

GeneSiC Semiconductor Inc., en viktig innovatör inom Silicon Carbide-baserade kraftenheter hedrade med tillkännagivandet att den har tilldelats det prestigefyllda 2019 R&D 100 Tilldela. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings - och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2018. R&D Magazine kände igen GeneSiCs mellanspänning SiC-kraftenhetsteknik för sin förmåga att monolitiskt integrera MOSFET och Schottky-likriktare på ett enda chip. Dessa funktioner som uppnås med GeneSiCs enhet gör det möjligt för forskare inom kraftelektronik att utveckla nästa generations kraftelektroniska system som växelriktare och DC-DC-omvandlare. Detta möjliggör produktutveckling inom elfordon, laddningsinfrastruktur, förnybar energi och energilagring. GeneSiC har bokat order från flera kunder mot demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med hjälp av dessa enheter och fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide MOSFET-produkter. R&D på tidig version för applikationer för kraftkonvertering utvecklades genom US Dept. av energi och samarbete med Sandia National Laboratories.

Den årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje post i termer av dess betydelse för vetenskap och forskning.

Enligt R&D Magazine, vinner en R&D 100 Priset ger ett kvalitetsmärke som industrin känner till, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknologibaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC vinner 2,53 miljoner USD från ARPA-E för utveckling av kiselkarbidtyristorbaserade enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Byrån för avancerade forskningsprojekt – Energi (ARPA-E) har ingått ett samarbetsavtal med det GeneSiC Semiconductor-ledda teamet för utvecklingen av den nya ultrahögspänningen kiselkarbid (Sic) Tyristorbaserade enheter. Dessa enheter förväntas vara viktiga möjliggörare för att integrera storskaliga vind- och solkraftverk i nästa generations Smart Grid.

"Denna mycket konkurrenskraftiga utmärkelse till GeneSiC kommer att tillåta oss att utöka vår tekniska ledande position inom multi-kV Silicon Carbide-teknologin, samt vårt engagemang för alternativa energilösningar i nätskala med solid state-lösningar," kommenterade Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer som vi utvecklar är nyckeln som möjliggör förverkligandet av flexibla AC-transmissionssystem (FAKTA) element och högspänningslikström (HVDC) planerade arkitekturer mot en integrerad, effektiv, Framtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserade tyristorer erbjuder 10 gånger högre spänning, 100X snabbare omkopplingsfrekvenser och högre temperaturdrift i FACTS och HVDC-kraftbehandlingslösningar jämfört med konventionella kiselbaserade tyristorer."

I april 2010, GeneSiC svarade på Agile Delivery of Electrical Power Technology (SKICKLIG) uppmaning från ARPA-E som försökte investera i material för grundläggande framsteg inom högspänningsomkopplare som har potential att hoppa över existerande effektomvandlars prestanda samtidigt som det ger sänkta kostnader. Företagets förslag med titeln "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power conversion" valdes ut för att ge en lättvikts, fast tillstånd, mellanspänningsenergiomvandling för applikationer med hög effekt som solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer. Att implementera dessa avancerade krafthalvledarteknologier kan ge så mycket som en 25-30 procentuell minskning av elförbrukningen genom ökad effektivitet vid leverans av elkraft. Innovationer som valdes var att stödja och marknadsföra U.S. företag genom tekniskt ledarskap, genom en mycket konkurrensutsatt process.

Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med mycket överlägsna egenskaper jämfört med konventionellt kisel, såsom förmågan att hantera tio gånger spänningen – och hundra gånger strömmen – vid temperaturer så höga som 300ºC. Dessa egenskaper gör den idealisk för högeffektapplikationer som hybrid- och elfordon, förnybar energi (vind och sol) installationer, och styrsystem för elnät.

Det är nu väl etablerat att ultrahög spänning (>10kV) Kiselkarbid (Sic) enhetsteknologi kommer att spela en revolutionerande roll i nästa generations elnät. Tyristorbaserade SiC-enheter erbjuder högsta prestanda i tillståndet >5 kV-enheter, och är allmänt tillämpliga på medelspänningseffektomvandlingskretsar som felströmsbegränsare, AC-DC omvandlare, Statiska VAR-kompensatorer och seriekompensatorer. SiC-baserade tyristorer erbjuder också den bästa chansen till tidig adoption på grund av deras likheter med konventionella elnätselement. Andra lovande tillämpningar och fördelar för dessa enheter inkluderar:

  • Effektstyrning och energikonditioneringssystem för mellanspänningslikströmsomvandling sökt under Future Naval Capability (FNC) av US Navy, Elektromagnetiska uppskjutningssystem, högenergivapensystem och medicinsk bildbehandling. Den 10-100X högre driftsfrekvensen möjliggör oöverträffade förbättringar i storlek, vikt, volym och slutligen, kostnaden för sådana system.
  • En mängd olika energilagring, högtemperatur- och högenergifysikapplikationer. Energilagring och kraftnätsapplikationer får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning.

“Vi har vuxit fram som ledande inom ultrahögspännings-SiC-teknik genom att utnyttja vår kärnkompetens inom enhets- och processdesign med en omfattande serie tillverkning, karakterisering, och testanläggningar,” avslutar Dr. Singh. "GeneSiC:s position har nu effektivt validerats av US DOE med denna betydande uppföljningspris."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategiskt beläget nära Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, SuperJunction-transistorer (Inc) och ett brett utbud av Thyristor-baserade enheter. GeneSiC har eller har haft huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besökwww.genesicsemi.com.