DULLES, VA, december 4, 2020 — GeneSiC tillkännager tillgänglighet av branschledande 3300V och 1700V diskreta SiC MOSFET som är optimerade för att uppnå enastående miniatyrisering, tillförlitlighet och energibesparingar i industriell hushållningskraft.
GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av en omfattande portfölj av kiselkarbid (Sic) halvledare, tillkännager idag omedelbar tillgänglighet av nästa generations 3300V och 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, och G2R1000MT33J. Dessa SiC MOSFET möjliggör överlägsna prestandanivåer, baserat på flaggskeppssiffror av meriter (FoM) som förbättrar och förenklar kraftsystem över energilagring, förnybar energi, industriella motorer, allmänna växelriktare och industriell belysning. Produkter som släpps är:
G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
GeneSiC: s nya 3300V och 1700V SiC MOSFET, finns i 1000mΩ och 450mΩ alternativ som SMD och genomgående hål diskreta paket, är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning av högvolymtillverkning ytterligare förbättrar deras värdeproposition.
”I applikationer som 1500V solcellsomvandlare, MOSFET i hjälpströmförsörjning kan behöva motstå spänningar i området 2500V, beroende på ingångsspänningen, varvtalet mellan transformatorn och utspänningen. Höga nedbrytningsspänningar MOSFETs undanröjer behovet av seriekopplade omkopplare i Flyback, Boost och framåt omvandlare därigenom minska antalet delar och minska kretsens komplexitet. GeneSiC: s 3300V och 1700V diskreta SiC MOSFETs gör det möjligt för konstruktörerna att använda enklare single switch-baserad topologi och samtidigt ge kunderna pålitlig, kompakt och kostnadseffektivt system” sa Sumit Jadav, Senior Applications Manager på GeneSiC Semiconductor.
Funktioner –
- Överlägset pris / prestandaindex
- Flaggskepp QG x RDS(PÅ) förtjänst
- Låg inneboende kapacitans och låg grindladdning
- Låga förluster vid alla temperaturer
- Hög lavin och kortslutningsegenskaper
- Benchmark tröskelspänning för normalt avstängd drift upp till 175 ° C
Ansökningar –
- Förnybar energi (solomvandlare) och energilagring
- Industriella motorer (och bindning)
- Växelriktare för allmänt ändamål
- Industriell belysning
- Piezo-förare
- Jonstrålgeneratorer
Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support
För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.
