GeneSiC har introducerat GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 och GB50MPS17-247; branschens bäst presterande 1700V SiC-dioder tillgängliga i det populära TO-247-2 genomhålspaketet. Dessa 1700V SiC-dioder ersätter kiselbaserade ultrasnabba återställningsdioder och andra gamla generationens 1700V SiC JBS, gör det möjligt för ingenjörer att bygga omkopplingskretsar med högre effektivitet och högre effekttäthet. Applikationerna förväntas inkludera elektriska snabbladdare, motordrivningar, kraftförsörjning för transporter och förnybar energi.
GB50MPS17-247 är en 1700V 50A SiC merged-PiN-schottky-diod, branschens högst märkta diskreta SiC-effektdiod. Dessa nyligen släppta dioder har lågt framåtspänningsfall, ingen återhämtning framåt, noll omvänd återhämtning, låg förbindelsekapacitans och är klassade för en maximal arbetstemperatur på 175 ° C. GeneSiC: s tredje generationens SiC schottky-diodteknik ger branschledande lavin robusthet och överspänningsström (Ifsm) robusthet, kombinerat med högkvalitativt bilkvalificerat 6-tums gjuteri och avancerad diskret monteringsteknik med hög tillförlitlighet.
Dessa SiC-dioder är stiftkompatibla direkta ersättningar till andra dioder som finns i TO-247-2-paketet. Dra nytta av deras lägre effektförluster (svalare drift) och högfrekvent omkopplingsfunktion, formgivare kan nu uppnå högre konverteringseffektivitet och större effekttäthet i konstruktioner.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.
