Publicerat den

GeneSiC: s nya tredje generationens SiC MOSFET med branschens bästa resultat

DULLES, VA, februari 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors nästa generations 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer från 20 mΩ till 350 mΩ levererar oöverträffade nivåer av prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar högre effektivitet, snabbare omkopplingsfrekvens, ökad effekttäthet, minskad ringning (EMI) och kompakt systemstorlek.

GeneSiC tillkännager tillgängligheten av sina branschledande 3: e generationens kiselkarbid MOSFET som har branschledande prestanda, robusthet och kvalitet att utnyttja aldrig tidigare sett nivåer av effektivitet och systemtillförlitlighet i fordons- och industriapplikationer.

Dessa G3R ™ SiC MOSFET, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning med hög volymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare.

”Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och förbättrad kortslutningsprestanda, Vi är glada att kunna släppa branschens bäst presterande 1200V SiC MOSFET med över 15+ diskreta och nakna chipprodukter. Om nästa generations kraftelektroniksystem ska möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som bil, industriell, förnybar energi, transport, IT och telekom, då kräver de avsevärt förbättrad enhetsprestanda och tillförlitlighet jämfört med nuvarande SiC MOSFET” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst – G3R ™ SiC MOSFETs har branschens lägsta motstånd med en mycket låg portladdning, vilket leder till 20% bättre meriter än någon annan liknande konkurrent
  • Låga ledningsförluster vid alla temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har det mjukaste temperaturberoendet av on-state motstånd för att erbjuda mycket låga ledningsförluster vid alla temperaturer; betydligt bättre än någon annan dike och plana SiC MOSFET på marknaden
  • 100 % lavin testad – Robust UIL-kapacitet är ett kritiskt krav för majoriteten av fältapplikationer. GeneSiC: s 1200V SiC MOSFET diskreta är 100 % lavin (UIL) testas under produktionen
  • Låg grindladdning och lågt motstånd mot inre grindar – Dessa parametrar är kritiska för att realisera ultrasnabb växling och uppnå högsta effektivitet (låg Eon -Eoff) över ett brett spektrum av applikationsomkopplingsfrekvenser
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C – Alla GeneSiCs SiC MOSFETs är designade och tillverkade med toppmoderna processer för att leverera produkter som är stabila och tillförlitliga under alla driftsförhållanden utan risk för funktionsfel. Den överlägsna grindoxidkvaliteten hos dessa enheter förhindrar tröskelvärden (VTH) drift
  • Låga enhetskapacitanser – G3R ™ är utformade för att köra snabbare och effektivare med sina låga kapaciteter - Ciss, Coss och Crss
  • Snabb och pålitlig kroppsdiod med låg egen laddning – GeneSiCs MOSFETs har en jämförbar låg omvänd återvinningsavgift (FRR) vid alla temperaturer; 30% bättre än någon liknande klassad konkurrent. Detta ger ytterligare minskning av effektförluster och ökar driftsfrekvensen
  • Enkel användning – G3R ™ SiC MOSFETs är konstruerade för att köras vid + 15V / -5V gate drive. Detta erbjuder bredaste kompatibilitet med befintliga kommersiella IGBT- och SiC MOSFET-drivrutiner

Ansökningar –

  • Elektriskt fordon – Drivlina och laddning
  • Solinverter och energilagring
  • Industrial Motor Drive
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • Switchat läge Strömförsörjning (SMPS)
  • Dubbelriktad DC-DC-omvandlare
  • Smart Grid och HVDC
  • Induktionsuppvärmning och svetsning
  • Pulsad kraftapplikation

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla. Alla enheter erbjuds i industristandard D2PAK, TO-247 och SOT-227 paket.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC vinner prestigefyllda R&D100-pris för SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare

DULLES, VA, december 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Pris för utveckling av SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare.

GeneSiC Semiconductor Inc., en viktig innovatör inom Silicon Carbide-baserade kraftenheter hedrade med tillkännagivandet att den har tilldelats det prestigefyllda 2019 R&D 100 Tilldela. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings - och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2018. R&D Magazine kände igen GeneSiCs mellanspänning SiC-kraftenhetsteknik för sin förmåga att monolitiskt integrera MOSFET och Schottky-likriktare på ett enda chip. Dessa funktioner som uppnås med GeneSiCs enhet gör det möjligt för forskare inom kraftelektronik att utveckla nästa generations kraftelektroniska system som växelriktare och DC-DC-omvandlare. Detta möjliggör produktutveckling inom elfordon, laddningsinfrastruktur, förnybar energi och energilagring. GeneSiC har bokat order från flera kunder mot demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med hjälp av dessa enheter och fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide MOSFET-produkter. R&D på tidig version för applikationer för kraftkonvertering utvecklades genom US Dept. av energi och samarbete med Sandia National Laboratories.

Den årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje post i termer av dess betydelse för vetenskap och forskning.

Enligt R&D Magazine, vinner en R&D 100 Priset ger ett kvalitetsmärke som industrin känner till, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknologibaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.