DULLES, VA, februari 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors nästa generations 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer från 20 mΩ till 350 mΩ levererar oöverträffade nivåer av prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar högre effektivitet, snabbare omkopplingsfrekvens, ökad effekttäthet, minskad ringning (EMI) och kompakt systemstorlek.
GeneSiC tillkännager tillgängligheten av sina branschledande 3: e generationens kiselkarbid MOSFET som har branschledande prestanda, robusthet och kvalitet att utnyttja aldrig tidigare sett nivåer av effektivitet och systemtillförlitlighet i fordons- och industriapplikationer.
Dessa G3R ™ SiC MOSFET, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning med hög volymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare.
”Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och förbättrad kortslutningsprestanda, Vi är glada att kunna släppa branschens bäst presterande 1200V SiC MOSFET med över 15+ diskreta och nakna chipprodukter. Om nästa generations kraftelektroniksystem ska möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som bil, industriell, förnybar energi, transport, IT och telekom, då kräver de avsevärt förbättrad enhetsprestanda och tillförlitlighet jämfört med nuvarande SiC MOSFET” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.
Funktioner –
- Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst – G3R ™ SiC MOSFETs har branschens lägsta motstånd med en mycket låg portladdning, vilket leder till 20% bättre meriter än någon annan liknande konkurrent
- Låga ledningsförluster vid alla temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har det mjukaste temperaturberoendet av on-state motstånd för att erbjuda mycket låga ledningsförluster vid alla temperaturer; betydligt bättre än någon annan dike och plana SiC MOSFET på marknaden
- 100 % lavin testad – Robust UIL-kapacitet är ett kritiskt krav för majoriteten av fältapplikationer. GeneSiC: s 1200V SiC MOSFET diskreta är 100 % lavin (UIL) testas under produktionen
- Låg grindladdning och lågt motstånd mot inre grindar – Dessa parametrar är kritiska för att realisera ultrasnabb växling och uppnå högsta effektivitet (låg Eon -Eoff) över ett brett spektrum av applikationsomkopplingsfrekvenser
- Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C – Alla GeneSiCs SiC MOSFETs är designade och tillverkade med toppmoderna processer för att leverera produkter som är stabila och tillförlitliga under alla driftsförhållanden utan risk för funktionsfel. Den överlägsna grindoxidkvaliteten hos dessa enheter förhindrar tröskelvärden (VTH) drift
- Låga enhetskapacitanser – G3R ™ är utformade för att köra snabbare och effektivare med sina låga kapaciteter - Ciss, Coss och Crss
- Snabb och pålitlig kroppsdiod med låg egen laddning – GeneSiCs MOSFETs har en jämförbar låg omvänd återvinningsavgift (FRR) vid alla temperaturer; 30% bättre än någon liknande klassad konkurrent. Detta ger ytterligare minskning av effektförluster och ökar driftsfrekvensen
- Enkel användning – G3R ™ SiC MOSFETs är konstruerade för att köras vid + 15V / -5V gate drive. Detta erbjuder bredaste kompatibilitet med befintliga kommersiella IGBT- och SiC MOSFET-drivrutiner
Ansökningar –
- Elektriskt fordon – Drivlina och laddning
- Solinverter och energilagring
- Industrial Motor Drive
- Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
- Switchat läge Strömförsörjning (SMPS)
- Dubbelriktad DC-DC-omvandlare
- Smart Grid och HVDC
- Induktionsuppvärmning och svetsning
- Pulsad kraftapplikation
Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support
För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com
Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla. Alla enheter erbjuds i industristandard D2PAK, TO-247 och SOT-227 paket.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.
