1200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer
Stabilitet för elektriska egenskaper hos SiC "Super" Junction Transistorer under långvarig DC och pulsad drift vid olika temperaturer
Snabbt mogna SiC Junction-transistorer med strömförstärkning (b) > 130, Blockera spänningar upp till 2700 V och stabil långvarig drift
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers