Snabbt mogna SiC Junction-transistorer med strömförstärkning (b) > 130, Blockera spänningar upp till 2700 V och stabil långvarig drift
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Drivning SiC Junction Transistorer (Inc) med Off-the-Shelf Silicon IGBT Gate Drivers: Ennivådrivningskoncept
1200 V-klass 4H-SiC “Super” Junction transistorer med strömförstärkningar på 88 och ultrasnabb växlingsförmåga