GeneSiCs branschledande 6,5 kV SiC MOSFET – Vanguard för en ny våg av applikationer
DULLES, VA, Oktober 20, 2020 — GeneSiC släpper 6,5 kV MOSFET-kiselkarbid för att ligga i framkant när det gäller prestanda utan motstycke, effektivitet och tillförlitlighet i medelspänningseffektomvandlingstillämpningar…
GeneSiC vinner prestigefyllda R&D100-pris för SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare
DULLES, VA, december 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based…
Bodo’s Power Systems (sid 46)
Maj, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications
Power Electronics Technology (sid 36)
juli, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack Cuts Switching Losses
Bodo’s Power Systems (sid 36)
Oktober, 2011 – Breakthrough High Temperature Electrical Performance of SiC “Super” Junction Transistors