GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор в силовых устройствах на основе карбида кремния на прошлой неделе был удостоен чести объявить, что он был удостоен престижной награды 2011 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2010. р&Журнал D Magazine отметил SiC-тиристор сверхвысокого напряжения GeneSiC за его способность достигать блокирующих напряжений и частот, которые никогда раньше не использовались для демонстрации силовой электроники.. Номинальное напряжение >6.5кВ, номинальный ток в открытом состоянии 80 А и рабочие частоты >5 кГц намного выше, чем те, которые ранее были представлены на рынке. Эти возможности, достигнутые тиристорами GeneSiC, позволяют исследователям силовой электроники разрабатывать сетевые инверторы., Гибкий
Системы передачи переменного тока (ФАКТЫ) и высоковольтные системы постоянного тока (HVDC). Это позволит разрабатывать новые изобретения и продукты в области возобновляемых источников энергии., солнечные инверторы, инверторы энергии ветра, и отрасли хранения энергии. доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor прокомментировал: «Ожидается, что крупные рынки полупроводниковых электрических подстанций и генераторов ветряных турбин откроются после того, как исследователи в области преобразования энергии полностью осознают преимущества SiC-тиристоров.. Эти SiC-тиристоры первого поколения используют самое низкое продемонстрированное падение напряжения в открытом состоянии и дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, когда-либо достигнутые в SiC-тиристорах.. Мы намерены выпустить будущие поколения тиристоров SiC, оптимизированных для возможности выключения с управлением затвором и импульсной мощности, а также >10кВ номиналы. Поскольку мы продолжаем разрабатывать высокотемпературные упаковочные решения для сверхвысокого напряжения, настоящие тиристоры 6,5 кВ упакованы в модули с полностью припаянными контактами, ограничивается температурой перехода 150°C». Поскольку этот продукт был запущен в октябре 2010, Компания GeneSiC получила заказы от нескольких клиентов на демонстрацию передового оборудования для силовой электроники с использованием этих тиристоров из карбида кремния.. GeneSiC продолжает развивать семейство карбидокремниевых тиристоров.. Р&Ранняя версия D on для приложений преобразования энергии была разработана при финансовой поддержке SBIR со стороны Министерства США.. энергии. Более продвинутый, SiC-тиристоры, оптимизированные для импульсной мощности, разрабатываются в рамках другого контракта SBIR с ARDEC., Армия Соединенных Штатов. Использование этих технических разработок, внутренние инвестиции от GeneSiC и коммерческие заказы от нескольких клиентов, GeneSiC смогла предложить эти тиристоры сверхвысокого напряжения в качестве коммерческих продуктов..
49-й ежегодный конкурс технологий, проводимый R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.
Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..
О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.
