DULLES, VA, Декабрь 4, 2020 — GeneSiC объявляет о доступности ведущих в отрасли дискретных SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В, оптимизированных для достижения беспрецедентной миниатюризации., надежность и экономия энергии при производстве электроэнергии.
GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик комплексного портфеля карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу нового поколения SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В 1000 мОм - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, и G2R1000MT33J. Эти SiC MOSFET обеспечивают превосходный уровень производительности., на основе флагманских деятелей заслуг (FoM) которые улучшают и упрощают системы энергоснабжения в накопителях энергии, Возобновляемая энергия, промышленные двигатели, инверторы общего назначения и промышленное освещение. Выпущенные продукты:
G2R1000MT33J - 3300 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET
G2R1000MT17D - 1700 В, 1000 мОм TO-247-3 SiC MOSFET
G2R1000MT17J - 1700 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET
G3R450MT17D - 1700 В, 450 мОм TO-247-3 SiC MOSFET
G3R450MT17J - 1700 В, 450 мОм TO-263-7 SiC MOSFET
Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В, доступны в вариантах 1000 мОм и 450 мОм в виде дискретных корпусов SMD и сквозных отверстий, оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанные быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивают их ценностное предложение.
«В таких приложениях, как солнечные инверторы на 1500 В, МОП-транзистор во вспомогательном источнике питания может выдерживать напряжения в диапазоне 2500 В., в зависимости от входного напряжения, коэффициент трансформации трансформатора и выходное напряжение. Полевые МОП-транзисторы с высоким пробивным напряжением устраняют необходимость в последовательно соединенных переключателях в Flyback, Повышающий и прямой преобразователи, что сокращает количество деталей и упрощает схему. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В позволяют разработчикам использовать более простую топологию на основе одного переключателя и в то же время предоставлять клиентам надежные, компактная и экономичная система” сказал Сумит Джадав, Старший менеджер по приложениям в GeneSiC Semiconductor.
Характеристики –
- Превосходный индекс цены и качества
- Флагманский Qграмм х RDS(НА) добродетель
- Низкая внутренняя емкость и низкий заряд затвора
- Низкие потери при любых температурах
- Высокая устойчивость к лавинам и коротким замыканиям
- Контрольное пороговое напряжение для стабильной работы при нормальном выключении до 175 ° C
Приложения –
- Возобновляемая энергия (солнечные инверторы) и хранение энергии
- Промышленные двигатели (и связь)
- Инверторы общего назначения
- Промышленное освещение
- Пьезо драйверы
- Генераторы ионных пучков
Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support
Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com
О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..
