Транзисторы SiC с быстрым созреванием и усилением по току (б) > 130, Блокирующие напряжения до 2700 V и стабильная долгосрочная работа
Статические и коммутационные характеристики 1200 Транзисторы V SiC со встроенными выпрямителями Шоттки на кристалле
Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода
1200 V-класс 4H-SiC “Супер” Переходные транзисторы с коэффициентом усиления по току 88 и возможность сверхбыстрого переключения