Управление переключателями SiC – из журнала Compound Semiconductor Magazine (Стр. 41)
июль 29, 2013 – SJT предлагают работу, совместимую с драйвером IGBT
Новости Power Electronics Europe
Сен 5, 2013 – SJT GeneSiC упоминаются как предлагающие более низкие общие потери, чем другие переключатели SiC.
Полупроводник сегодня
Октябрь 28, 2014 – GeneSiC запускает улучшенный, SiC транзисторы с пониженным сопротивлением в открытом состоянии 1700 В и 1200 В
Составной полупроводник
Октябрь 28, 2014 – Переключатели SiC обеспечивают низкие потери проводимости и превосходную устойчивость к короткому замыканию.
Журнал IEEE PELS
Мар 1, 2015 – Выполнение обещания высокотемпературной работы с устройствами из карбида кремния
