Ведущие в отрасли SiC-МОП-транзисторы на 6,5 кВ от GeneSiC – Авангард новой волны приложений
DULLES, VA, Октябрь 20, 2020 — GeneSiC выпускает полевые МОП-транзисторы из карбида кремния 6,5 кВ, чтобы стать лидером в обеспечении беспрецедентного уровня производительности., эффективность и надежность в приложениях преобразования энергии среднего напряжения…
GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за монолитный транзисторно-выпрямительный переключатель на основе карбида кремния
DULLES, VA, Декабрь 5, 2019 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2019 р&Д 100 Награда за разработку SiC на основе…
Энергетические системы Бодо (Стр. 46)
май, 2011 – 1200 Комплект диодов V/100 A Si IGBT/SiC для силовой электроники
Технология силовой электроники (Стр. 36)
июль, 2011 – 1200 Блок Si IGBT/SiC диодов V/100 A снижает коммутационные потери
Энергетические системы Бодо (Стр. 36)
Октябрь, 2011 – Революционные высокотемпературные электрические характеристики SiC «супер» переходных транзисторов
