Высокотемпературные SiC-транзисторы и выпрямители общего назначения по низкой цене
Высокая температура (>210oC) Переходные транзисторы и выпрямители в корпусе из металлических корпусов малого форм-фактора предлагают революционные преимущества производительности для различных приложений, включая усиление., low noise circuitry and downhole…
Плата драйвера затвора и модели SPICE для переходных транзисторов из карбида кремния (СДТ) Выпущенный
Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation DULLES,…
Релизы GeneSiC 25 Транзисторы из карбида кремния мОм / 1700 В
SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits Dulles, Вирджиния., Октябрь 28, 2014 — GeneSiC Полупроводник, a pioneer and global supplier…
GeneSiC поддерживает программу Google / IEEE Little Box Challenge
GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifiers offer significant advantages towards achieving the goals of the Little Box Challenge State-Of-the Art. Силовые транзисторы из карбида кремния & Выпрямители. Имеется в наличии. Сейчас! GeneSiC has a…
Высокая температура (210 C) SiC переходные транзисторы в герметичных корпусах
The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies Dulles, Вирджиния., Декабрь 10, 2013 — GeneSiC…
