Разработка детекторов излучения на основе полуизолирующего карбида кремния
Октябрь, 2008 Разработка детекторов излучения на основе полуизолирующего карбида кремния
Корреляция между временем жизни рекомбинации носителей и прямым падением напряжения в 4H-SiC PiN диодах
Сентябрь, 2010 Корреляция между временем жизни рекомбинации носителей и прямым падением напряжения в 4H-SiC PiN диодах
Совместные блоки гибридных выпрямителей Si-IGBT / SiC и выпрямителей SiC JBS
Сентябрь, 2011 Совместные блоки гибридных выпрямителей Si-IGBT / SiC и выпрямителей SiC JBS
12.9 SiC-PiN-диоды кВ с низким падением напряжения в открытом состоянии и большим временем жизни носителей заряда
Сентябрь, 2011 12.9 SiC-PiN-диоды кВ с низким падением напряжения в открытом состоянии и большим временем жизни носителей заряда
1200 V SiC выпрямители Шоттки, оптимизированные для ≥ 250 ° C работа с самой низкой в своем классе емкостью перехода
июль, 2012 1200 V SiC выпрямители Шоттки, оптимизированные для ≥ 250 ° C работа с самой низкой в своем классе емкостью перехода