Карбид-кремниевые переходные транзисторы и выпрямители Шоттки, оптимизированные для работы при 250°C
Апр, 2014 Карбид-кремниевые переходные транзисторы и выпрямители Шоттки, оптимизированные для работы при 250°C
Статические и коммутационные характеристики 1200 Транзисторы V SiC со встроенными выпрямителями Шоттки на кристалле
Июн, 2014 Статические и коммутационные характеристики 1200 Транзисторы V SiC со встроенными выпрямителями Шоттки на кристалле
Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода
май 2013 Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода
Приводные SiC-транзисторы AN-10B (СДТ): Концепция двухуровневого привода ворот
июнь 2013 Приводные SiC-транзисторы AN-10B (СДТ): Концепция двухуровневого привода ворот
Плата двойной импульсной коммутации
Сен 2014 Плата двойной импульсной коммутации