GeneSiC Полупроводник, Inc - Энергоэффективность за счет инноваций

Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.

май, 2012 Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.

Транзисторы SiC с быстрым созреванием и усилением по току (б) > 130, Блокирующие напряжения до 2700 V и стабильная долгосрочная работа

Октябрь, 2013 Транзисторы SiC с быстрым созреванием и усилением по току (б) > 130, Блокирующие напряжения до 2700 V и стабильная долгосрочная работа

GeneSiC Полупроводник, Inc