опубликовано 2019-06-102020-05-111200 V-класс 4H-SiC “Супер” Переходные транзисторы с коэффициентом усиления по току 88 и возможность сверхбыстрого переключения Сентябрь, 2011 1200 V-класс 4H-SiC “Супер” Переходные транзисторы с коэффициентом усиления по току 88 и возможность сверхбыстрого переключения
опубликовано 2019-06-102020-05-11200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии ноябрь, 2011 1200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии
опубликовано 2019-06-102020-05-11Использование обещания SiC при высоких температурах Фев, 2012 Использование обещания SiC при высоких температурах
опубликовано 2019-06-102020-05-11Карбид кремния “Супер” Переходные транзисторы, работающие при 500 ° C Апр, 2012 Карбид кремния “Супер” Переходные транзисторы, работающие при 500 ° C
опубликовано 2019-06-102020-05-11Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах. май, 2012 Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.
опубликовано 2019-06-102020-05-11Транзисторы SiC «Super» со сверхбыстрым переходом (< 15 нс) Возможность переключения май, 2012 Транзисторы SiC «Super» со сверхбыстрым переходом (< 15 нс) Возможность переключения
опубликовано 2019-06-102020-05-11Характеристика стабильности коэффициента усиления по току и лавинного режима работы 4H-SiC BJT Октябрь, 2012 Характеристика стабильности коэффициента усиления по току и лавинного режима работы 4H-SiC BJT
опубликовано 2019-06-102020-05-1110 кВ SiC BJT – статические, характеристики коммутации и надежности май, 2013 10 кВ SiC BJT – статические, характеристики коммутации и надежности
опубликовано 2019-06-102020-05-11Транзисторы SiC с быстрым созреванием и усилением по току (б) > 130, Блокирующие напряжения до 2700 V и стабильная долгосрочная работа Октябрь, 2013 Транзисторы SiC с быстрым созреванием и усилением по току (б) > 130, Блокирующие напряжения до 2700 V и стабильная долгосрочная работа
опубликовано 2019-06-102020-05-11Карбид-кремниевые переходные транзисторы и выпрямители Шоттки, оптимизированные для работы при 250°C Апр, 2014 Карбид-кремниевые переходные транзисторы и выпрямители Шоттки, оптимизированные для работы при 250°C
