Новые силовые устройства из карбида кремния делают возможными революционные изменения в преобразовании энергии высокого напряжения
Надежность SiC MOS устройств
Надежность SiC MOS устройств
Новые SiC MOS-биполярные переключатели для >10 кВ Приложения
Ограничения надежности и производительности в силовом устройстве SiC
Мощный 4H-SiC DMOSFET на 10 кВ со стабильным подпороговым поведением независимо от температуры
Коммерческое влияние карбида кремния
Коммерческое влияние карбида кремния
