Транзисторы SiC «Super» со сверхбыстрым переходом (< 15 нс) Возможность переключения
Характеристика стабильности коэффициента усиления по току и лавинного режима работы 4H-SiC BJT
10 кВ SiC BJT – статические, характеристики коммутации и надежности
Транзисторы SiC с быстрым созреванием и усилением по току (б) > 130, Блокирующие напряжения до 2700 V и стабильная долгосрочная работа
Карбид-кремниевые переходные транзисторы и выпрямители Шоттки, оптимизированные для работы при 250°C
Статические и коммутационные характеристики 1200 Транзисторы V SiC со встроенными выпрямителями Шоттки на кристалле
Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода
Приводные SiC-транзисторы AN-10B (СДТ): Концепция двухуровневого привода ворот
Плата двойной импульсной коммутации
Плата двойной импульсной коммутации
