опубликовано

Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода

  • май 2013
    Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода
    • опубликовано

    1200 V-класс 4H-SiC “Супер” Переходные транзисторы с коэффициентом усиления по току 88 и возможность сверхбыстрого переключения

  • Сентябрь, 2011
    1200 V-класс 4H-SiC “Супер” Переходные транзисторы с коэффициентом усиления по току 88 и возможность сверхбыстрого переключения
    • опубликовано

    200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии

  • ноябрь, 2011
    1200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии
    • опубликовано

    Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.

  • май, 2012
    Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.